瀏覽 的方式: 作者 馮哲川

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201098npe36c02-Development of High-Power Light-Emitting Diodes on GaN Templates武東星; 劉柏良; 林佳鋒; 馮哲川; 洪瑞華; 林得裕; 行政院國家科學委員會; 國立中興大學材料科學與工程學系(所)-
2012Epitaxial Growth of High-Indium and High-Aluminum-Content Gan-Based Semiconductors for Energy Optoelectronic Device Applications武東星; 馮哲川; 國立中興大學材料科學與工程學系(所); 行政院國家科學委員會-
2011Epitaxial Growth of High-Indium and High-Aluminum-Content GaN-Based Semiconductors for Energy Optoelectronic Device Applications武東星; 馮哲川; 行政院國家科學委員會; 國立中興大學材料科學與工程學系(所)-
2010InGaN-based Light-Emitting Diodes with Hexagonal Inverted Pyramid Structures through a Bandgap-selective Photoelectrochemical Process馮哲川; Zhe-Chuan Feng; 陳思翰; Sy-Hann Chen; 林佳鋒; Chia-Feng Lin; Chien, Jui-Fen; 簡瑞芬; 中興大學-
2010利用光輔助電化學技術製作具圖形化 奈米多孔隙結構之氮化銦鎵發光元件馮哲川; Zhe-Chuan Feng; 陳思翰; Sy-Hann Chen; 林佳鋒; Chia-Feng Lin; 陳奎廷; Chen, Kuei-Ting; 中興大學-
2012建構於氮化鎵模板之高功率發光二極體技術開發( I )武東星; 劉柏良; 馮哲川; 洪瑞華; 林佳鋒; 行政院國家科學委員會; 國立中興大學材料科學與工程學系(所)-
2013建構於氮化鎵模板之高功率發光二極體技術開發(II)武東星; 洪瑞華; 劉柏良; 林佳鋒; 馮哲川; 國立中興大學材料科學與工程學系(所); 行政院國家科學委員會-