Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/17084
標題: MOSFET隧穿電流之理論研究
作者: Lin, Ming Xun
林明勳
關鍵字: 隧穿電流
direct tunneling current
場效電晶體
MOSFET
tunnel
出版社: 物理學系
摘要: 隨著半導體製程的進步,半導體元件中的氧化層的厚度也越來越薄,電子穿過氧化層造成的隧穿效應也愈趨明顯,因此近年來這方面的研究也所在多有,一般在計算隧穿電流時均是利用WKB近似法,但是這樣的方法所得出的隧穿電流並不精確。在計算加上偏壓之後的系統,由於勢壘的形式並不是很複雜,因此我們可以利用Airy function精確解得系統的隧穿機率,再依照所得的隧穿機率精確值計算MOSFET的Direct tunneling current。
URI: http://hdl.handle.net/11455/17084
Appears in Collections:物理學系所

文件中的檔案:

取得全文請前往華藝線上圖書館



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.