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標題: GaP電子元件製作與量測
Fabrition and measurement of the electrical properties of the gallium phosphide nanowire devices
作者: chen, yi-jyun
陳怡君
關鍵字: 半導體
GaP
奈米線
磷化 磷化鎵
出版社: 物理學系
摘要: 摘要 本實驗主要製作並量測單根磷化鎵奈米線(GaP nanowires)元件的電性,GaP奈米線由氣液固生長法(Vapor-Liquid-Solid; VLS) 長於石英基板上,我們將奈米線由石英基板刮下,加入無水酒精配製成奈米線溶液,撒佈在高摻雜As的矽基板上,並藉由電子束微影技術製作Cr/Au接觸電極,藉以進行電性量測。 我們共製作了6支GaP奈米線樣品,選用直徑約200nm,長度4~5µm的奈米線進行電性量測,常溫下量測到大多數的樣品電阻值約在104 ~107 Ω,電阻率約在0.1Ω-cm。將樣品經由400°C熱退火合金化後,發現電性變佳,電阻值都在1MΩ以內,並藉由加入背面閘極偏壓(backgate),以判斷GaP的載子傳輸型態。 在閘極偏壓量測中,我們施以平面閘極及背向閘極進行量測,兩者結果皆顯示,當施加偏壓增加時,汲極電流下降,由實驗可得知GaP樣品為P型Ⅲ-Ⅴ族半導體。
Fabrication and measurement of the electrical properties of the gallium phosphide nanowire devices are the main subject of this study. We fabricate total 6 gallium phosphide nanowire samples with diameter 200nm and length 4~5μm and measure their electrical resistivity is 0.1Ω-cm at room temperature. Most of the sample resistance is in the range 104~107Ω. Electrical resistivity decreases after the processing of annealing at 400ºC We determine the carrier type of using the back-gate and plannar-gate measurements. The result shows that the drain-current decreases as the gate-voltage rises. Based on this we can determine that the gallium phosphide nanowires are p-type semiconductors.
URI: http://hdl.handle.net/11455/17120
顯示於類別:物理學系所

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