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標題: 失效模式與效應分析應用在晶圓的DRAM製程開發階段之改善─以台灣某一電子公司為例
The Application of Failure Modes and Effects Analysis in The Improvement of Process Develop Stage - The Case Study of An Electronics Corporation in Taiwan
作者: 羅清福
Lo, Ching-Fu
關鍵字: http://etds.lib.nchu.edu.tw/etdservice/view_metadata?etdun=U0005-0207200716445200
失效模式與效應分析
製程開發
風險
腦力激盪
出版社: 高階經理人碩士在職專班
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摘要: 失效模式與效應分析應用在晶圓的DRAM製程開發階段之改善─以台灣某一電子公司為例 摘要 本研究利用製程的失效模式與效應分析應用在半導體個案公司之晶圓製程開發階段為研究對象,經由參與製程開發小組人員的腦力激盪,找出可能的失效模式,進而研究這些失效模式及發生的原因其對於晶圓製程開發過程影響,作為新製程開發的管理原則,可有效減少過程潛在失效的發生、降低製程開發風險、縮短開發時程、提升產品品質及顧客滿意度。研究結果顯示,晶圓製程開發階段有六個可能的失效模式後,依嚴重度、發生率以及偵測度分別予以評分,計算出風險優先數。依照風險優先數由高而低排序之結果,六個可能失效模式之製程特性順序為:開窗之乾蝕刻控制、電容孔徑乾蝕刻、電容線寬曝光、去除晶片表面缺陷數量、閘極材料沉積及鈦金屬濺鍍層;對於六個潛在之失效模式以腦力激盪法探討原因、影響、提出改善方案之後,選出最佳之方案並進行改進之措施。改進之後,再對六個潛在之失效模式予以評分,依風險優先數由高而低排序,其製程特性順序為:電容孔徑乾蝕刻、開窗之乾蝕刻控制、去除晶片表面缺陷數量、鈦金屬濺鍍層、閘極材料沉積及電容線寬曝光;將失效模式與效應分析的資料配合公司內部資料管理系統,統合工程人員經驗累積及系統化整理編輯其資料,可作為將來新製程的開發、新產品的設計等重要資料庫,縮短製程開發成本及產品上市時程。 關鍵字:失效模式與效應分析、製程開發、風險、腦力激盪
The Application of Failure Modes and Effects Analysis in The Improvement of Process Develop Stage ─ The Case Study of An Electronics Corporation in Taiwan Abstract The purpose of this study is the application of process failure modes and effects analysis on wafer process development stage of one semiconductor corporation in Taiwan. With brainstorming method of the process development team members, we figure out the possible failure modes and then study those failure modes and the causes that influence the procedure of wafer process development. It become a management principle for process development in order to reduce potential failure events and the risk of process development, as well as to shorten development schedule and raise the product quality and to meet customer satisfactions, we evaluate the level of those severity, occurrence and detection from the six potential failure mode cases of process development stage and calculate the risk priority number case by case. According to the results of this study, the RPN sequence is as the following: 1.Via Dry Etch Step, 2. Trend Capacity Dry Etch Step, 3. Trend Capacity Lithograph Step, 4. Remove Surface Defect Step, 5. Gate Stack Deposition Step, 6. Titanium Sputtering Step. We get the corrective actions and take the best countermeasures after the six potential failure models are studied by brainstorming method to explore the causes and influences. Re-evaluating the levels of those severity, occurrence and detection from the six potential failure mode cases and put descending order of the risk priority number. The potential failure mode process sequence is as follows: 1. Trend Capacity Dry Etch Step, 2. Via Dry Etch Step, 3. Remove Surface Defect Step, 4. Titanium Sputtering Step, 5. Gate Stack Deposition Step, 6. Trend Capacity Lithograph Step. The findings and results of this study on failure modes and effects analysis can be used by any wafer company, adjusting accordingly to a company''s internal data management system and experience of engineers, to find the best solution at the wafer process develop stage and new product development in order to shorten the development stage and cost as well as the time to market. 【Key word】:Failure modes and effects Analysis, Process development, Risk, Brainstorming.
URI: http://hdl.handle.net/11455/24308
其他識別: U0005-0207200716445200
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