Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/2970
標題: Study on the a-IGZO thin film transistor driven white light emitting diode
以a-IGZO薄膜電晶體驅動白光發光二極體之研究
作者: 林佑聯
Lin, Lien-Yu
關鍵字: TFT driven LED
電晶體驅動發光二極體
the backlight active driven
主動式驅動背光源
出版社: 光電工程研究所
引用: 【1】張榮芳、黃志仁、王敏全,軟性主動式矽基顯示技術發展現況與動向,工業材料雜誌,222期,民國94年6月。 【2】A. Dodabalapur, Z. Bao, A. Makhija, J. G. Laquindanum, V. R. Raju, Y. Feng,H. E. Katz, and J. Rogers,Organic smart pixels,Bell Laboratories,11 May 1998。 【3】K. L. Tzeng、H. F. Meng、M. F. Tzeng and Y. S. Chen,One-polymer active pixel,APL VOL 84,number 4,26 January 2004。 【4】李宗衛,有機高分子主動式矩陣顯示器之元件與製程技術研究,清華大學電子工程研究所,民國94年7月。 【5】胡堂祥,有機薄膜電晶體整合技術,工業材料雜誌,272期,August 2009。 【6】蔣承忠,軟性顯示元件關鍵製程技術之開發研究,中興大學材料系,民國97年7月。 【7】Donald A.Neamen,an introduction to semiconductor devices,the McGrawHill companies,p.280。 【8】陳志強,LTPS低溫複晶矽顯示器技術,全華科技圖書股份有限公司,2004年12月。 【9】賴葳,非晶矽薄膜電晶體在不同頻率電漿處理下之可靠度研究,中興大學電機工程研究所,民國98年7月。 【10】Toshio Kamiya and Hideo Hosono,Material characteristics and applications of transparent amorphous oxide semiconductors,NPG ASIA MATERIALS,Vol. 2 January 2010。 【11】邱久容,低電壓氧化物半導體a-IGZO與高分子介電層薄膜電晶體,中興大學電機工程研究所,民國98年6月。 【12】J. B. Kim、C. Fuentes-Hernandez、W. J. Potscavag、Jr, X.-H. Zhang、B. Kippelen,Appl. Phys. Lett. 94, 142107,2009。 【13】J. B. Kim、C. Fuentes-Hernandez、B. Kippelen,Appl. Phys. Lett. 93, 242111,2008。 【14】史國光,半導體發光二極體及固態照明,P.1-1,全華科技圖書股份有限公司,2006年10月。 【15】劉如熹,白光發光二極體製作技術–由晶粒金屬化至封裝,P.8-2,全華科技圖書股份有限公司,2008年12月。 【16】史國光,半導體發光二極體及固態照明,P.6-71,全華科技圖書股份有限公司,2006年10月。 【17】姚柏宏,LED光源模組發展現狀與機會,工業材料雜誌,221期,民國94年5月。 【18】洪瑞華、武東星、韓斌、裴靜偉、曾賢德、吳清沂,軟性電子構想書,民國95年。 【19】Grzegorz Darlinski、Ulrich Böttger、Rainer Waser、Hagen Klauk、Marcus Halik、Ute Zschieschang、Günter Schmid and Christine Dehm,Mechanical force sensors using organic thin-film transistors,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 97,093708,2005。 【20】James Gourlay、Reiner Götzen、Andrea Reinhardt、Helge Bohlmann、David Gonzalez、Paula Queipo、Norbert Schläfli、Roland Willmann、Karl-Heinz Frank、Nello Li Pira、Wolfgang Voit、Ingo Reinhold、Werner Zapka、Matthias Burgard、Liviu Jalba、Liviu Munteanu,High Throughput Manufacturefor LED Lighting and Displays,SID 10,2010。 【21】技術在線,LG顯示器公開可在192個區域控制發光的55吋液晶面板,SID 2010,2010年6月1日。
摘要: 近年來以發光二極體為背光源的液晶顯示器在市面上越來越受歡迎。但是,目前的發光二極體背光源是以被動式驅動為主,本實驗希望藉由電晶體整合發光二極體,以電晶體來驅動發光二極體發光。目的是希望能將發光二極體背光源轉為主動式驅動背光源。主動式驅動背光源的優點可以針對顯示影像做局部的調整,以提升影像的對比度和色彩飽和度,還兼顧著環保省電等多項功能。
In recent year, the liquid crystal display(LCD)use light emitting diode(LED) as backlight is getting more and more popular in the market. However, the light emitting diode backlight are passive driven, we use thin film transistor(TFT)to drive light emitting diode. In this way, the light emitting diode backlight will be transfers active driven. The advantage of the active driven backlight is that it can make the image to be partial adjusted to upgrade the contrast and color saturation, also, it is eco-friendly and power saved…etc.
URI: http://hdl.handle.net/11455/2970
其他識別: U0005-0308201014453400
文章連結: http://www.airitilibrary.com/Publication/alDetailedMesh1?DocID=U0005-0308201014453400
Appears in Collections:光電工程研究所

文件中的檔案:

取得全文請前往華藝線上圖書館



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.