Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/4111
標題: 封裝技術對三、五族氮化物發光二極體壽命影響之研究
The Influence of Ⅲ-Ⅴ Nitride Based Light-Emitting Diodes' Lifetime with Different Package Technology
作者: 曾合加
Tseng, Ho-Chia
關鍵字: 藍光發光二極體
InGaN
封裝技術
LED
出版社: 精密工程學系所
引用: [1] G. B. Stringfellow, Academic Press Inc. Boston, pp. 149-219, 1997 [2] H.Sugawara, and M. Ishikawa, and G. Hatakoshi, “High-efficiency InGaAlP/GaAs visible light-emitting diodes,” App. Phys. Lett., vol. 58, pp. 1010-1012, Nov. 1991. [3] H. Sugawara, K. ltaya, H. Nozaki and G. Hatakoshi, “High-brightness lnGaAlP green light-emitting diodes,” App. Phys. Lett., vol. 61, pp. 1775-1777, Nov. 1993. [4] D. A. Vanderwater, I. H. Tan, G. E. Hofler, D. C. DeFevere, F. A. Kish, “High-brightness AlGaInP light emitting diodes,” IEEE invited paper., vol. 85, pp. 1752-1764, Nov. 1997. [5] A. Zukauskas, M. S. Shur, and R. Gaska, Introduction to Solid-State Lighting. New York: Wiley and Sons, 2002. [6] S. Nakamura and S. F. Chichibu, Introduction to Nitride Semiconductor Blue Laser Diode and Light EmittersDiodes. London: Taylor and Francis, 2000. [7] S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers. Berlin: Springer, 2000. [8] Wudy. Wu C. F. Liaw Outlook of LED Illuminators (5):The Way to Long Life Time. Materials (2006).229. [9] N. Narendran, J. Bullough, N. Maliyagoda, A. Bierman, J. Illum, Eng. Soc. 30(1) (2001) 57. [10] D.L. Barton, M. Osinski, P. Oerlin, C.J. Helms,N.H. Berg, Proc. SPIE3279(1998) 17. [11] D.L. Barton, M. Osinski,IEEE LEOS 2(1998)440. [12] F.M. Steranka, et al., Phys. Stat. Sol. (a) 194 (2) (2002) 380. [13] J. Akhavan, E. Koh, S. Waring, E. Kronfli, Polymer 42 (2001) 7711. [14] A. Torikai,H. Hasegawa, Polym. Degradation Stability 63 (1999) 441. [15] N. Narendran, L. Deng, Proceedings of the IESNA Annual Conference, 2002, p. 157. [16] N. Narendran, et al. /Journal of Crystal Growth 268 (2004) 499-456 [17] 施敏 原著, 張俊彥 譯著, “半導體元件物理與製程技術,” 第三版, 高立圖書有限公司, 台北, 台灣, pp. 104-115, 2000. [18] 施敏 原著, 張俊彥 譯著, “半導體元件物理與製程技術,” 第三版,高立圖書有限公司, 台北, 台灣, pp. 192-206, 2000. [19] D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization , 1990. [20] V. M. Burmedez, “Study of oxygen chemisorption on the GaN(0001)-(1×1) surface,” J. Appl. Phys., vol. 80, pp. 1190-1200, July. 1996. [21] 史光國, “現代半導體發光及雷射二極體材料技術,” 全華科技,台北,台灣, pp. 4.1-4.5, 2001. [22] Y. Xi and E. F. Schubert, “Junction–temperature measurement in GaN ultraviolet light-emitting diodes using diode forward voltage method,” Appl. Phys. Lett., vol. 85, pp. 2163-2165, Sep. 2004. [23] Y. Xi, J.-Q. Xi, Th. Gessmann, J. M. Shah, J. K. Kim, E. F. Schubert, A. J. Fischer, M. H. Crawford, K. H. A. Bogart, and A. A. Allerman, “Junction and carrier temperature measurements in deep-ultraviolet light-emitting diodes using three different methods,” Appl. Phys. Lett., vol. 86, pp. 031907. 1-3, Sep. 2005. [24] LumiLeds, “Thermal Management Considerations for Super Flux LEDs,” Application Note, 1149-4. [25] Stringfellow G.B. and Craford M.G., High Brightness Light Emitting Diodes:Volume 48, Academic Press, 1997. [26] Agilent Technologies, Application Brief A05, LED Thermal Testing. [27] Hong, E., and N. Narendran. 2004. A method for projecting useful life of LED lighting systems. ThirdInternational Conference on Solid State Lighting, Proceedings of SPIE5187: 93-99 [28] 中國環氧樹脂行業協會,“環氧樹脂的定義”2004-5-27、“環氧樹脂的應 用特點”2004-4-24、“環氧A/B膠的應用”2005-9-22 [29] 陳韻元、廖秋峰、劉如熹,“認識有機矽封裝材料”,工業材料雜誌 222 期94年6月 [30] 翁丁財,“以共沈法合成釔鋁柘榴石(YAG)之研究",國立成功大學礦 冶及材料科學研究所碩士論文,民77年 8月,pp.1~28。 [31] 蔡富州,“以熔鹽法合成釔鋁柘榴石單晶粉末之研究",國立成功大 學碩士論文,民79年 7月,pp.1~22。 [32] 林元龍,“以熔鹽法合成釔鋁柘榴子石YAG:Tb、Ce單晶粉末之研究 ",國成功大學碩士論文,民80年 6月,pp.1~2 [33] 柯以侃主編,吳明珠校訂,“儀器分析",新文京開發出版有限公司, 民92年6月,pp.155~235、pp.373~417。 [34] 陳昱霖,“石榴石(Y3Al5O12)螢光體之合成與性質研究",國立成功 大學碩士論文,民90年6月,pp.1~109。 [35] 石景仁,“白光發光二極體用之釔鋁石榴石螢光粉合成及特性分析", 國立臺灣大學化學研究所,民90年6月,pp.1~126。 [36] 劉如熹、王健源編著,“白光發光二極體製作技術-21世紀人類的新曙 光",全華科技圖書股份有限公司,民90年10月,pp.1-1~2-22。 [37] 叙瑢、楼立人編著,“科學家談物理-發光及其應用",湖南教育出版 社。 [38] 陳育山,“長餘輝與奈米結構硫氧化釔螢光體之合成與其發光特性之研究",國立交通大學應化研究所碩士論文,民91年6月,pp.1~19。 [39] 成建波、侥海渡、黃宗琳、楊开愚,“Eu3+:Sm3+:Cr3+:YAG紅色單晶 螢立光",光學學報,2000年8月,pp.1117~1121。 [40] 刘祖武編著,“現代無機合成", 化學工業出版社(北京),1999年1 月,pp.89~121。 [41] H. S. Yoder and M. L. Keith, ”Complete substitution of aluminum for silicon: The ystem 3MnO.Al2O3 .3SiO2-3Y2O3.5Al2O3”, Am. Mineralogist., 36[7/8], pp.519
摘要: 在LED新技術不斷的發展突破及壽命的延長下, LED應用於顯示器背光源、型投影機、照明及汽車燈源…等市場潛力已受到廣泛注意。但是在實際封裝應用後,我們發現即使在一般操作電流下常有壽命衰減異常問題的產生,部分案例甚至在短短168小時內亮度即衰退50%,故封裝技術扮演著重要的角色,且仍有許多問題待我們去克服,如散熱、UV短波、封裝料折射率等。 本研究利用各個實驗找出各種造成封裝衰退異常之失效模式,在確認真正的失效原因後,進一步尋找出能利用不同之封裝方式與技術解決造成封裝上造成的失效,且讓LED更有效展現長壽命特性之方法。最後我們歸納出維持封裝後長壽命的方裝技術包括二極體背面鍍反射層並利用共晶之固晶方式、品質較佳之環氧樹脂材料、二極體與環氧樹脂之間添加矽膠等封裝方式與條件。
As the development of the new technology, the LEDs can be used widely. The market applications of LEDs on display backlight, light source of mini-projector, general lighting and automobile lighting etc… have attracted much attention in these years. In the future, white LED is most important for the illumination application. Encapsulant plays an important role in the LED device. It can extract light from the LED chip and protect device from damage. However, LED encapsulant has lots of challenges to overcome, such as high refractive index, thermal resistance, UV resistance, etc. In this thesis, we will discuss the LED encapsulant defect modes and find the better encapsulant technology to increase the lifetime of LEDs.
URI: http://hdl.handle.net/11455/4111
其他識別: U0005-2607200622370500
文章連結: http://www.airitilibrary.com/Publication/alDetailedMesh1?DocID=U0005-2607200622370500
Appears in Collections:精密工程研究所

文件中的檔案:

取得全文請前往華藝線上圖書館



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.