Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/47558
標題: Controlled Synthesis and Electrical Characteristics Measuremnet of Metal Silicide Nanostructures (II)
操控成長金屬矽化物奈米結構及電性量測之研究(II)
作者: 許薰丰
關鍵字: 掃描探針微影術
電子電機工程類
陽極氧化
操控成長
矽化物
界面反應
電性量測
基礎研究
摘要: 隨著元件尺寸進入奈米等級,在半導體上製作奈米結構,成為微電子學上的重要課題。在半導體元件中,低電阻率金屬矽化物廣泛應用做為金屬接觸、閘電極或元件間連線。因此奈米金屬矽化物之生成及其物理性質,將是元件功能限制的關鍵性因素,如何操控生成優質的金屬矽化物奈米結構,為當前半導體產業中急需發展的新技術之一。目前最大的挑戰仍是操控奈米結構的形狀及位置,另一方面,由於尺寸效應,材料的物理基本特性將會有顯著的差異,因此奈米結構之微區電學性質的量測亦是另一個重要的發展目標。本計劃將以半導體元件進入奈米尺寸世代後,深具發展潛力之鈦矽化物(TiSi2)、鈷矽化物(CoSi2)及鎳矽化物(NiSi)為研究標的,操控成長其奈米結構,並進行微區電性量測。選擇利用掃瞄探針「陽極氧化法」之微影技術搭配不同的選擇性蝕刻製程,於矽晶片上之氮化矽薄膜製作奈米結構窗口為模板,進行操控鈦矽化物奈米點、奈米線成長,並以導電掃瞄探針顯微鏡(c-AFM)量測奈米結構之微區電學性質。並深入探討奈米金屬矽化物由於尺寸、形狀效應,對其界面性質與電學性質的影響。更進一步研究奈米線與基材之間由於方位關係(orientation)的不同,對其顯微結構、界面性質及電學性質之影響。相關的研究成果將是提供半導體元件中成長優質金屬矽化物奈米導線時的重要參考。本計劃為連續性計劃,上年度之目標以操控鈦矽化物(TiSi2)奈米點、奈米線成長為目的。本年度著重於以掃瞄探針量測奈米結構之電學性質,並進行上述相關之性質探討,並同時對鈷矽化物(CoSi2)及鎳矽化物(NiSi)進行相關研究。
URI: http://hdl.handle.net/11455/47558
其他識別: NSC95-2221-E005-149
文章連結: http://grbsearch.stpi.narl.org.tw/GRB/result.jsp?id=1298431&plan_no=NSC95-2221-E005-149&plan_year=95&projkey=PB9508-1104&target=plan&highStr=*&check=0&pnchDesc=%E6%93%8D%E6%8E%A7%E6%88%90%E9%95%B7%E9%87%91%E5%B1%AC%E7%9F%BD%E5%8C%96%E7%89%A9%E5%A5%88%E7%B1%B3%E7%B5%90%E6%A7%8B%E5%8F%8A%E9%9B%BB%E6%80%A7%E9%87%8F%E6%B8%AC%E4%B9%8B%E7%A0%94%E7%A9%B6%28II%29
Appears in Collections:材料科學與工程學系

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