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標題: Influence of Fm and Af Thickness on Structures, Magnetic, and Magnetotransport Properties of NiFe/Cr-Oxide Bilayers
鐵磁層及反鐵磁層厚度對鎳鐵/氧化鉻雙層薄膜之結構、磁性及磁電傳輸性質影響
作者: 林克偉
關鍵字: 應用研究
材料科技
鎳鐵/氧化鉻雙層薄膜
交換偏壓
磁電阻
雙離子束濺鍍技術
摘要: 交換偏壓的主要特徵為磁滯曲線偏移,其為磁性元件 (如硬碟的自旋閥資料讀取頭和磁性隨機儲存記憶體的自旋穿遂元件)應用之基礎。交換偏壓現象主要是由於鐵磁層與反鐵磁層介面間的交互作用,且此交互作用力會增加鐵磁層的矯頑磁力。文獻上曾提出許多理論模型來解釋理論值與實驗值不一致的原因,如表面粗糙度的混亂、反鐵磁層磁區造成有限的偏壓場、反鐵磁層的磁區壁結構存在導致總偏壓場之降低等。就科技應用的觀點而言,增加偏壓場的強度與增加其溫度的操作範圍是相當重要的。先前研究[1,2]顯示,鐵磁/反鐵磁性介面間存在交換偶合作用且其交換偏壓強度、矯頑磁力與溫度有密切關係。本研究利用雙離子束濺鍍系統[3]製備鎳鐵/氧化鉻雙層薄膜。其中鎳鐵薄膜由Kaufman 離子源直接濺鍍鎳鐵靶材,而氧化鉻薄膜由End-Hall 離子源之氧氣撞擊基材並動態氧化鉻原子而得。本研究第一年主要製備鎳鐵/氧化鉻多層薄膜並探討其表面形態、結構與磁性質。第二年主要探討鐵磁層及反鐵磁層厚度對鎳鐵/氧化鉻雙層薄膜之交換偏壓與矯頑磁力對溫度之影響。第三年主要探討鎳鐵/氧化鉻雙層薄膜室溫與低溫之磁電傳輸性質。鎳鐵/氧化鉻雙層薄膜的磁性質實驗結果將與利用電腦軟體模擬(LLG)的結果相互比較及印証。[1] K.-W. Lin, Y.-M. Tzeng, Z.-Y. Guo, C.-Y. Liu, and J. van Lierop, J. Magn. Magn.Mater., 304, e124 (2006).[2] J. van Lierop, K.-W. Lin, H. Ouyang, Y.-M. Tzeng, and Z.-Y. Guo, J. Appl. Phys.99, 08C104 (2006).[3] K.-W. Lin, P.-H. Ko, Z.-Y. Guo, H. Ouyang, and J. van Lierop, J. Nanosci.Nanotech., 7, 265 (2007).
URI: http://hdl.handle.net/11455/47572
其他識別: NSC96-2221-E005-056
文章連結: http://grbsearch.stpi.narl.org.tw/GRB/result.jsp?id=1434745&plan_no=NSC96-2221-E005-056&plan_year=96&projkey=PB9607-1398&target=plan&highStr=*&check=0&pnchDesc=%E9%90%B5%E7%A3%81%E5%B1%A4%E5%8F%8A%E5%8F%8D%E9%90%B5%E7%A3%81%E5%B1%A4%E5%8E%9A%E5%BA%A6%E5%B0%8D%E9%8E%B3%E9%90%B5%2F%E6%B0%A7%E5%8C%96%E9%89%BB%E9%9B%99%E5%B1%A4%E8%96%84%E8%86%9C%E4%B9%8B%E7%B5%90%E6%A7%8B%E3%80%81%E7%A3%81%E6%80%A7%E5%8F%8A%E7%A3%81%E9%9B%BB%E5%82%B3%E8%BC%B8%E6%80%A7%E8%B3%AA%E5%BD%B1%E9%9F%BF
Appears in Collections:材料科學與工程學系

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