Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/47611
標題: Fabricated the InGaN-Based LEDs with the Higher Light Extraction Structures
高取光效率之氮化銦鎵晶片技術開發
作者: 林佳鋒
關鍵字: 應用研究
光電工程
URI: http://hdl.handle.net/11455/47611
其他識別: NSC98-2622-E005-009-CC3
文章連結: http://grbsearch.stpi.narl.org.tw/GRB/result.jsp?id=1922707&plan_no=NSC98-2622-E005-009-CC3&plan_year=98&projkey=PB9808-3050&target=plan&highStr=*&check=0&pnchDesc=%E9%AB%98%E5%8F%96%E5%85%89%E6%95%88%E7%8E%87%E4%B9%8B%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8A%A6%E9%8E%B5%E6%99%B6%E7%89%87%E6%8A%80%E8%A1%93%E9%96%8B%E7%99%BC
Appears in Collections:材料科學與工程學系

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