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標題: 高銦與高鋁含量氮化鎵系列材料之開發與光電能源元件整合研究-子計畫一:高銦含量氮化銦鎵材料之磊晶成長與光電能源元件開發
Epitaxial Growth of High-Indium-Content Ingan Semiconductors for Energy Optoelectronic Device Applications
作者: 武東星
關鍵字: 商品化
光電工程
URI: http://hdl.handle.net/11455/47632
其他識別: NSC98-2221-E005-006-MY3
顯示於類別:材料科學與工程學系

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