Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/47634
標題: Epitaxial Growth of High-Indium and High-Aluminum-Content Gan-Based Semiconductors for Energy Optoelectronic Device Applications
高銦與高鋁含量氮化鎵系列材料之開發與光電能源元件整合研究-總計畫:高銦與高鋁含量氮化鎵系列材料之開發與光電能源元件整合研究
作者: 武東星
馮哲川
關鍵字: 商品化
光電工程
URI: http://hdl.handle.net/11455/47634
其他識別: NSC98-2221-E005-005-MY3
Appears in Collections:材料科學與工程學系

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