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標題: 晶圓銅薄膜拋光製程之化學腐蝕與磨粒尺寸效應研究(I)
An Investigation on the Corrosion and Effects of Abrasive Size on Copper Film in Wafer Polishing (I)
作者: 蔡志成
關鍵字: 應用研究
自動化工程, 化學工程類
晶圓銅薄膜層拋光平坦化
化學機械拋光(CMP)
化學腐蝕
漿料磨粒之尺寸效應
摘要: 本計畫為三年期計畫之第二及第三年計畫,緣由於化學機械拋光(CMP)為一種結合化學蝕刻與機械研磨拋光之加工方法,特別適用於需要高表面精度而又無法承受機械切削或研磨等高加工效率加工法之硬脆材料,故廣為半導體晶圓拋光平坦化製程所應用。然而隨著銅製程之發展,晶圓銅薄膜層之拋光平坦化製程除CMP之外,因其金屬特性使得化學腐蝕作用較為強烈,因此化學腐蝕機制與拋光漿料之磨粒尺寸扮演著甚為重要的角色。本計畫將以晶圓銅薄膜層之拋光平坦化製程為對象, 探討上述二因素對製程性能之影響,並透過實驗數據分析,支援整合計畫中其他子計畫所需之實驗數據,尋找化學腐蝕與漿料磨粒之尺寸效應對於拋光平坦化製程性能之經驗公式,以及理論模式與實驗結果之比較。計畫第一年探討化學腐蝕機制與機械拋光機制及其適用條件,並進行先導化學腐蝕實驗與純機械拋光實驗,驗證二者之合理性;第二年將以奈米級磨粒對晶圓銅薄膜層進行CMP實驗,同時透過數據分析進行磨漿條件與磨粒尺寸對於晶圓拋光效果分析;第三年則以前二年之結果整理晶圓銅薄膜層拋光平坦化製程之化學腐蝕與漿料磨粒之尺寸效應。本計畫成果除可作為半導體製造業者之製程參數調整依據之外,更可作為精密機械業者於機器與控制系統設計時之參考。
URI: http://hdl.handle.net/11455/48081
其他識別: NSC93-2212-E005-009
文章連結: http://grbsearch.stpi.narl.org.tw/GRB/result.jsp?id=984163&plan_no=NSC93-2212-E005-009&plan_year=93&projkey=PB9308-0579&target=plan&highStr=*&check=0&pnchDesc=%E6%99%B6%E5%9C%93%E9%8A%85%E8%96%84%E8%86%9C%E6%8B%8B%E5%85%89%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E4%B9%8B%E5%8C%96%E5%AD%B8%E8%85%90%E8%9D%95%E8%88%87%E7%A3%A8%E7%B2%92%E5%B0%BA%E5%AF%B8%E6%95%88%E6%87%89%E7%A0%94%E7%A9%B6%28I%29
顯示於類別:機械工程學系所

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