Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/48604
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dc.contributor.author洪瑞華zh_TW
dc.contributor.other行政院國家科學委員會zh_TW
dc.contributor.other中興大學精密工程研究所zh_TW
dc.date2005zh_TW
dc.date.accessioned2014-06-06T08:28:42Z-
dc.date.available2014-06-06T08:28:42Z-
dc.identifierNSC93-2215-E005-004zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11455/48604-
dc.description.abstract短波長面射型元件包括發光二極體(LEDs), 共振腔式發光二極體(RCLEDs)與垂直共振腔面射型雷射(VCSELs)。關於LEDs,近幾年來由於氮化鎵磊晶技術之突破,使得藍光或白光LEDs 無論於亮度或元件功率,其發展一日千里,LEDs 全彩化或應用於照明已不是夢想。又由於GaN based 元件涵蓋紫外光至綠光,使得應用塑膠光纖(於波長為510nm 時, 損耗最低)進行訊號傳輸之距離與速度可大幅增加。然而關於RCLEDs與VCSELs,由於以磊晶方式成長GaN 系列之布拉格反射鏡(DBR)受限於AlN/GaN 需高的磊晶成長溫度,且兩者晶格常數不匹配與熱膨脹係數差異不小,導致此類型磊晶之DBR 不易成長,也因此增加短波長RCLEDs 與VCSELs 之困難度。另一方面,GaN 系列之磊晶膜若成長於藍寶石基板(Sapphire),其不僅因不導電,增加元件製程之複雜度,更因此基板可讓短波長之光穿透,當製作成RCLEDs 與VCSELs 時,若基板尚存在,將會影響光之行進路徑,進而嚴重影響元件特性。有鑑於此,本計畫擬結合『晶圓接合』與『基板移除』技術,配合DBR 鍍膜技術,以金屬或介電氧化層製作外部共振腔,並開發GaN 系列之光及電之侷限,希望藉由此些技術之研發,初期能成功開發塑膠光纖用之510 nm RCLEDs,而後研發GaN 系列之光及電之侷限技術,最後將此些技術應用於510 nm 之VCSELs。本計畫規劃之時程為三年,希望藉此三年之研發能成功開發電流驅動之藍光面射型元件。規劃之三年任務如下:第一年 510 nm RCLEDs 製程技術之研發;第二年 光及電侷限技術之研發;第三年 510 nm VCSELs 製程技術之研發。zh_TW
dc.language.isozh_TWzh_TW
dc.relation.urihttp://grbsearch.stpi.narl.org.tw/GRB/result.jsp?id=1026289&plan_no=NSC93-2215-E005-004&plan_year=93&projkey=PB9308-3673&target=plan&highStr=*&check=0&pnchDesc=%E4%BB%A5%E6%99%B6%E5%9C%93%E6%8E%A5%E5%90%88%E8%88%87%E5%9F%BA%E6%9D%BF%E7%A7%BB%E9%99%A4%E6%8A%80%E8%A1%93%E7%A0%94%E8%A3%BD%E5%A4%96%E9%83%A8%E5%85%B1%E6%8C%AF%E8%85%94%E5%BC%8F%E7%9F%AD%E6%B3%A2%E9%95%B7%E9%9D%A2%E5%B0%84%E5%9E%8B%E5%85%83%E4%BB%B6%28I%29en_US
dc.subject發光二極體zh_TW
dc.subject材料科技zh_TW
dc.subject共振腔式發光二極體zh_TW
dc.subject垂直共振腔面射型雷射zh_TW
dc.subject布拉格反射鏡zh_TW
dc.subject晶圓接合技術zh_TW
dc.subject基板移除技術zh_TW
dc.subject外部共振腔zh_TW
dc.subject塑膠光纖zh_TW
dc.subject應用研究zh_TW
dc.title以晶圓接合與基板移除技術研製外部共振腔式短波長面射型元件(I)zh_TW
dc.titleInvestigation of Short-Wavelength External Resoanat-Cavity Surface-Emitting Devices by Wafer Bonding and Substrate Removal Techniques(I)en_US
dc.typeResearch Reportszh_TW
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