Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/48627
標題: Study on Thin Film Blue Leds with Optimum Light Extraction and Thermal Dissipated Substrate for High Voltage Dc Driving Applications
具最佳取光與散熱基板之高壓直流薄膜型藍光發光二極體之研發
作者: 洪瑞華
關鍵字: 應用研究
光電工程
摘要: 本計畫主要目標為 “具最佳取光與散熱基板之高壓直流薄膜型藍光發光二極體之研發”,計畫規劃三年進行,進行方式與目標如下說明:第一年計畫目的主要是配合具高反射鏡面,雙面粗化技術及晶圓黏貼技術(GlueBonding),製作基板替換成具鏡面結構之矽基板之n-side up GaN 無電極遮蔽之水平電極發光二極體(即掩埋式電極結構)。此結構可解決傳統藍寶石基板p-GaN 朝上發光二極體結構,或現今n-side up Thin GaN垂直元件電極遮光的問題,更可因為製作成n-side up 元件,發光面積增加,且反射鏡面與n-side up之n-GaN 粗化結構有助於光之萃取。希望第一年可研製power chips,功率達350 mW (@350 mA),且功率較傳統sapphire based LEDs提升1.3 倍。第二年計畫目的主要是改善LED 元件積熱問題且製作成打單線之掩埋式電極結構,由於第一年計畫結構所使用之矽基板熱導係數為150 (W/m·K),且為Glue bonding,為提高第一年元件解熱能力,第二年將延續第一年n-GaN up 掩埋式電極暨改良成具散熱之導電基板,分別以電鍍銅技術製作高熱導係數之銅基板,搭配Ni/Ag 高反射鏡面來增加正向光,以及在n 型氮化鎵表面製作非週期性之表面粗化,目的為製作一高散熱與高亮度之薄膜氮化鎵發光二極體,並使用銅作為LED 元件解熱之基板。希望第二年可研製具高散熱基板且打單線之無電極遮光之power chipsLED,功率達400 mW@350mA,其功率較傳統sapphire based LEDs 提升1.5倍。前兩年的研究計畫中以雷射剝離技術(laser lift-off,LLO)、晶片黏貼技術(gluebonding)/電鍍技術及黃光技術來達到具高反射鏡面及雙面粗化的高功率LED 元件及散熱效果最佳化。第三年計畫目的,主要是整合掩埋式電極,具散熱基板與磊晶膜轉移技術,並開發金屬內連線之製程,研製陣列式排列的「高電壓(24、48、96及110 V)直流n-sideup Thin GaN LED元件」。希望第三年研製之高壓直流薄膜型且無電極遮光與高散熱基板之薄膜型藍光發光二極體其電光轉換效率可達40%。未來將可搭配簡易型之整流元件直接應用於高壓電源。
URI: http://hdl.handle.net/11455/48627
其他識別: NSC100-2221-E005-092-MY3
文章連結: http://grbsearch.stpi.narl.org.tw/GRB/result.jsp?id=2386643&plan_no=NSC100-2221-E005-092-MY3&plan_year=101&projkey=PB10101-4625&target=plan&highStr=*&check=0&pnchDesc=%E5%85%B7%E6%9C%80%E4%BD%B3%E5%8F%96%E5%85%89%E8%88%87%E6%95%A3%E7%86%B1%E5%9F%BA%E6%9D%BF%E4%B9%8B%E9%AB%98%E5%A3%93%E7%9B%B4%E6%B5%81%E8%96%84%E8%86%9C%E5%9E%8B%E8%97%8D%E5%85%89%E7%99%BC%E5%85%89%E4%BA%8C%E6%A5%B5%E9%AB%94%E4%B9%8B%E7%A0%94%E7%99%BC
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