Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/48822
標題: Reliability Analysis of Low-Temperature Poly-Si TFTs by CW Laser Crystallization(I)
利用連續波雷射結晶法製作低溫複晶矽薄膜電晶體之製程開發及其在面板系統整合上之應用-子計畫二-以連續波雷射製作之高效能低溫複晶矽薄膜電晶體可靠度分析(I)
作者: 劉漢文
關鍵字: 低溫複晶矽薄膜電晶體
電子電機工程類, 光電工程
交流偏壓量測
直流偏壓量測
偏壓變溫量測
可靠度
連續波雷射
應用研究
摘要: 薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)是目前最熱門的平面顯示器之一。目前主流產品是以非晶矽材料及技術製造其中的關鍵元件—薄膜電晶體(TFT),但是為了實現系統面板(System on Panel)的需求或是應用於有機發光二極體顯示器(OLED),就必須利用低溫複晶矽薄膜電晶體(LTPS TFTs)的優異電特性。本計畫的目的,在於建立連續波雷射(CW laser)一維和二維晶粒控制再結晶法,所製作低溫複晶矽薄膜電晶體元件於產品應用上之可靠度衰減機制,以期提出改善元件可靠度的方法。一般元件可靠度的研究,係將元件以直流偏壓量測的方式在如熱載子效應(Hot carrier effect)或自我發熱效應(Self heating effect)等對元件特性影響最嚴重的地方。然而,在實際的應用電路中,低溫複晶矽薄膜電晶體是在交流的電壓下操作,在導通與關閉之間切換。當薄膜電晶體元件由導通切換至關閉時,通道中的載子會在短時間內流向源/汲極,而引發有別於直流偏壓下的不穩定的衰減機制。因此本計畫將系統性的利用直流偏壓量測、交流偏壓量測,測試包括臨界電壓飄移、驅動電流和載子移動率的衰減,探討其對低溫複晶矽薄膜電晶體元件的可靠度衰減相依性,以及利用偏壓變溫量測方法,分析可靠度衰減機制,並預測元件之使用壽命。另一個影響元件可靠度的重要因素是閘極介電層的品質。因此本計畫的另一個研究重點是結合高品質的介電層材料和連續波雷射再結晶方法所製作的低溫複晶矽薄膜電晶體,以期建立更完整的元件可靠度衰減機制。
URI: http://hdl.handle.net/11455/48822
其他識別: NSC93-2215-E005-011
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