Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/49078
標題: Deep Sub-Micron SOI Device Simulations and Reliability Analysis
深次微米SOI元件模擬與可靠度分析
作者: 林泓均
曾堅信
趙天生
關鍵字: SOI
矽基絕緣體
電子電機工程類
Latch effect
Kink effect
Impact ionization
Carrier-carrier scattering
Hot carrier
Thermal equation
Boltzmann transport equation
Poisson equation
鎖住效應
偏離效應
碰撞游離
載子散射
熱載子
熱方程式
波茲曼傳輸方程式
波義桑方程式
技術發展
URI: http://hdl.handle.net/11455/49078
其他識別: NSC87-2215-E005-003
文章連結: http://grbsearch.stpi.narl.org.tw/GRB/result.jsp?id=398223&plan_no=NSC87-2215-E005-003&plan_year=87&projkey=PA8705-2742&target=plan&highStr=*&check=0&pnchDesc=%E6%B7%B1%E6%AC%A1%E5%BE%AE%E7%B1%B3SOI%E5%85%83%E4%BB%B6%E6%A8%A1%E6%93%AC%E8%88%87%E5%8F%AF%E9
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