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標題: 低表面缺陷密度之磊晶基板
A LOW-DEFECT-DENSITY EPITAXIAL SUBSTRATE
作者: 武東星
洪瑞華
王偉凱
文國昇
摘要: 本發明為提供一種低表面缺陷密度的磊晶基板,包含一基材、一第一磊晶層、一阻擋層,及一第二磊晶層,該基材具有一基面,及多數彼此相間隔地自該基面凹陷形成的凹洞,該第一磊晶層是由橫向磊晶形成且與該每一凹洞共同界定出一封閉孔,該阻擋層,形成在該第一磊晶層的頂面上並呈現與該多數凹洞對應地錯位互補,該第二磊晶層自該第一磊晶層頂面未被該阻擋層遮覆之區域開始橫向磊晶形成,且具有一相對遠離該第一磊晶層且低表面缺陷密度的磊晶面。
URI: http://hdl.handle.net/11455/56006
顯示於類別:材料科學與工程學系

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