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標題: METHOD OF MAKING A LOW-DEFECT-DENSITY EPITAXIAL SUBSTRATE
低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法
作者: WUU, DONG SING
武東星
HORNG, RAY HUA
WANG, WOEI KAI
WEN, KUO SHENG
洪瑞華
王偉凱
文國昇
出版社: 材料科學與工程學系
摘要: 本發明是低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法。該方法是先將基材表面形成多數凹洞,接著自上開始橫向磊晶形成第一磊晶層,以減少基材對應發生在該等凹洞位置之缺陷向上延伸至第一磊晶層,然後於第一磊晶層上形成一對應錯位於該等凹洞位置而遮覆部分表面用以阻擋基材對應發生在該等凹洞位置之間的缺陷再向上延伸的阻擋層,最後自第一磊晶層表面未被阻擋層遮覆之區域橫向磊晶形成包覆阻擋層的第二磊晶層,即製得表面缺陷密度極低的磊晶基板。 This invention mainly provides a method of making a low-defect-density epitaxial substrate. The first step of the method is to form cavities sunk from a base-substrate. Then, laterally overgrow a first-epitaxial layer from the surface of the base-substrate to avoid defects corresponding to the cavities of the base-substrate grows up to the first-epitaxial layer. The third step is to form a stop layer corresponding to the cavities from the surface of the first-epitaxial layer to stop defects of the first-epitaxial layer to grow up. Finally, form a second-epitaxial layer from the co-surface of the first-epitaxial layer and the stop layer, and make the low-defect-density epitaxial substrate. 【創作特點】 因此,本發明之一目的,即在提供一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法。 於是,本發明一種低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法,是先將一基材表面形成多數間隔散佈之凹洞。 然後於該基材表面開始橫向磊晶形成一填覆入該多數凹洞中並封閉該多數凹洞的第一磊晶層。 繼而於該第一磊晶層表面形成一呈現預定圖像以遮覆該第一磊晶層表面預定區域的阻擋層。 最後自該第一磊晶層表面未被該阻擋層遮覆之區域橫向磊晶形成一包覆該阻擋層且表面缺陷密度不大於105 cm -2 的第二磊晶層,即製得該磊晶基板。 本發明之功效在於以基材形成的多數凹洞與凸島降低基材缺陷向上延伸累積的機率,並以阻擋層阻擋基材缺陷再向上延伸,以提供表面缺陷密度極低的磊晶基板。
URI: http://hdl.handle.net/11455/56085
文章連結: http://twpat.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm
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