Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/56134
標題: 磊晶結構及其製造方法
作者: 洪瑞華
武東星
出版社: 材料科學與工程學系
摘要: 本發明提出一種磊晶結構及其製造方法,藉由感應式耦合電漿(ICP)等乾式蝕刻技術, 對基板上的磊晶層作垂直而精確的蝕刻,得到奈米尺寸及間距的奈米柱。在此奈米柱上進行 同質磊晶程序,藉由控制橫向及縱向生長速率,可獲得無缺陷的二次磊晶層,並有效提高後 續元件製作的良率。
URI: http://hdl.handle.net/11455/56134
文章連結: http://twpat.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm
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