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標題: 雙面粗化垂直導通式發光二極體及其製作方法
作者: 洪瑞華
武東星
出版社: 材料科學與工程學系
摘要: 本發明提供雙面粗化垂直導通式發光二極體及其製作方法,先粗化於磊晶基板上磊晶成長之磊晶膜的第一表面並設置頂電極,接著將暫時基板貼上並移除磊晶基板,然後以高低落差不小於300nm的條件粗化磊晶膜裸露出另一第二表面,再將永久基板接觸粗化後的第二表面,並利用光學等級的黏著層填置永久基板與第二表面之間而黏結二者,最後移除暫時基板,即製得雙面粗化垂直導通式發光二極體;本發明藉著粗化的第二表面與永久基板形成非全面的歐姆接觸,可以有效調整電能通過磊晶膜的分佈狀況,提昇磊晶膜的量子效應,進而提高發光二極體的發光效能。
URI: http://hdl.handle.net/11455/56285
文章連結: http://twpat.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm
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