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標題: 低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法及其製品
METHOD OF MAKING A LOW-DEFECT-DENSITY EPITAXIAL SUBSTRATE AND THE PRODUCT MADE THEREFROM
作者: 武東星
WUU, DONG SING
洪瑞華
王偉凱
文國昇
HORNG, RAY HUA
WANG, WOEI KAI
WEN, KUO SHENG
出版社: 材料科學與工程學系
摘要: 本發明是低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法及其製品。該方法是先將基材表面形成多數凹洞,接著自上開始橫向磊晶形成第一磊晶層,以減少基材對應發生在該等凹洞位置之缺陷向上延伸至第一磊晶層,然後於第一磊晶層上形成一對應錯位於該等凹洞位置而遮覆部分表面用以阻擋基材對應發生在該等凹洞位置之間的缺陷再向上延伸的阻擋層,最後自第一磊晶層表面未被阻擋層遮覆之區域橫向磊晶形成包覆阻擋層的第二磊晶層,即製得表面缺陷密度極低的磊晶基板。
URI: http://hdl.handle.net/11455/56311
文章連結: http://twpat.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm
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