Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/56314
標題: 多元高熵合金氧化物構成的光電半導體及其製作方法
作者: 薛富盛
游瑞松
摘要: 本發明主要提供由多元高熵合金構成的合金氧化物及其製作方法,先選擇分別均佔合金氧化物原子百分比是3.0at%~18.0at%的鈦、釩、鉻、鋯,與鉭構成多元高熵合金,再於氧佔合金氧化物原子百分比是33.00at%~60.00at%的範圍中,使多元高熵合金與氧結合成合金氧化物,且在氧的原子百分比大於58.00at%時合金氧化物是透明且絕緣的;另外,再於佔合金氧化物原子百分比是14.00at%~33.00at%的範圍下加入氮,一併調整氮、氧的原子百分比,可使多元高熵合金與氮、氧結合成具光電半導體特性的合金氧化物。
URI: http://hdl.handle.net/11455/56314
文章連結: http://twpat.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm
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