Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/56347
標題: 自體發電之半導體元件
作者: 戴慶良
Dai, Ching-Liang
劉茂誠
Liu, Mao-Chen
摘要: 本發明為有關一種自體發電之半導體元件,該半導體元件為依照標準之互補金屬氧化物半導體(CMOS)的製程,於矽基底上,依序設有氧化層、氮化矽層、氧化層、多晶矽層、接觸層、金屬層與鈍化層,且多晶矽層為多晶矽所構成,並透過離子佈植之技術,並以光罩以區別出複數P型多晶矽與N多晶矽,藉此,可達到自我供電與發電量穩定的優點,且使多晶矽層在半導體的特性下,無接觸電阻之問題,亦可減少積體電路上所需之元件需求,同時達到省電的效果。
URI: http://hdl.handle.net/11455/56347
Appears in Collections:機械工程學系所

文件中的檔案:

取得全文請前往華藝線上圖書館



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.