Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/66802
標題: 微機電元件之製造方法
作者: 戴慶良
DAI, CHING LIANG
彭宣榕
摘要: 本發明係關於一種微機電(Micro electro mechanical system, MEMS)元件之製造方法,可藉由CMOS製程及以介電層為犧牲層獲得。本發明方法主要為先形成一元件層於一基板上,該元件層之下層中央部分為訊號傳輸線,兩端為接地端;元件層之上層為金屬薄膜,該訊號傳輸線與金屬薄膜之間為介電層。本發明以介電層為犧牲層,將其蝕刻後,即可釋放金屬薄膜,製成電容式射頻開關或其他元件。
URI: http://hdl.handle.net/11455/66802
文章連結: http://twpat.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm
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