Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/67019
標題: P-N串聯多晶矽開關及其製造方法
作者: 戴慶良
DAI, CHING LIANG
劉茂誠
陳盈良
LIU, MAO CHEN
摘要: 本發明提出一種P-N串聯多晶矽開關及其製造方法。先利用半導體技術製作多晶矽(polysilicon),再摻雜多晶矽成為串聯之P型及N型,使此多晶矽具有類似二極體般的能帶;導通時不加入偏壓,維持本身電阻;而關閉時加入逆偏壓,則電阻無限大;即可作為一電阻開關,並應用於直流電與高頻等。
URI: http://hdl.handle.net/11455/67019
文章連結: http://twpat.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm
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