Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/1637
標題: 研磨墊修整對氧化層CMP影響之研究
The Effect of Pad Conditioning On Oxide-CMP
作者: 郭柏宏
Hung, Guo Bo
關鍵字: 研磨墊;pad;研磨墊修整;化學機械研磨;pad condition;CMP
出版社: 機械工程學系
摘要: 
在深次微米半導體元件的製程,線寬微細化和多重金屬內連線技術愈趨重要,氧化層(Oxide)與金屬層(Metal)的全域性平坦化技術是越來越重要,而化學機械研磨(CMP)是目前唯一可以達到此一目標的製程,但是在這一個重要的製程中,卻存在著一個不穩定的因子-研磨墊,舉凡研磨墊的厚度、硬度、壓縮率、結構、表面花紋、表面粗糙度……等,都會造成研磨結果的改變,再加上修整(pad conditioning)參數的設定亦會對研磨結果造成影響,而本文將針對氧化層的CMP(Oxide-CMP)所使用的研磨墊作一通盤的介紹,並以此來驗証Oxide-CMP較符合液動磨耗機制,再透過實驗來說明研磨墊的磨耗、表面花紋及修整參數的影響。
實驗結果顯示研磨墊因為修整產生的損耗並不會影響研磨結果,反而有助於表面多孔性的恢復,增加運送、把持化學漿料的能力。
而表面沒有花紋的研磨墊,在一開始的材料移除率較低,如果把研磨時間拉長的話,不均勻度卻比有花紋的研磨墊低且穩定,但是也因此喪失了排除研磨副產物的能力,使得晶片上留下一道道微刮痕。此外我們也發現,無花紋的研磨墊與平坦的晶片表面之間,常常因為液體表面張力太大,使得在研磨完畢後,晶片承載器無法將晶片從研磨墊表面吸走,而導致機台的當機,但這也是証實液動磨耗機制的証據。
從田口法實驗結果分析來看,修整參數的改變並不會造成MRR的改善。但只要修整參數配合得宜,可以在不增加製程時間以及不影響MRR的同時,有效改善NU值。
URI: http://hdl.handle.net/11455/1637
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