Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/16948
標題: GaAs/InGaAs heterostructure magnetrotransport porperity in low temperature
砷化鎵/砷化銦鎵異質接面的低溫磁傳導特性
作者: 林正逢
Lin, Cheng Fong
關鍵字: InGaAs;砷化銦鎵;heterostructure;2DEG;異質接面;二維電子氣
出版社: 物理學系
摘要: 
本篇論文主要是研究GaAs/InGaAs與GaAs/AlGaAs異質結構的低溫磁傳導
特性。 GaAS/InGaAs樣品分別成長於(100)與(111)基材上,因GaAs
與InGaAS晶格常數與?帶結構的不同,因此形成應變量子井的結構,使得
電子被侷限於其中,形成二維電子氣系統。此系統中運動的電子因不同程
度的摻雜與樣品基材的成長方向,使電子受到不同的影響,因而表現出不
同的磁傳輸特性。GaAs/AlGaAs異質結構則是一個寬量子井結構,電子在
此結構中也表現出與GaAs/InGaAs明顯不同的磁傳輸特性。 在低溫下我
們量測樣品的Rxx與Rxy,在GaAs/InGaAs樣品中我們發現到振盪行為的表
現,而量測Rxy可得到樣品的電子濃度和遷移率等參數,經過變溫量測,
可發現到Rxx的振盪並不完全是Shubnikov-de Haas振盪,同時也沒有看到
量子霍爾效應的現象。而GaAs/AlGaAS樣品中,量測Rxx可以觀察到
Shubnikov-de Haas振盪,量測Rxy可以看到整數霍爾效應。樣品經過照光
後,導致電子濃度增加,使得上述現象更加明顯,經過分析後我們可以得
知電子佔據兩個子帶的電子濃度與遷移率等參數。
URI: http://hdl.handle.net/11455/16948
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