Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/17110
標題: 摻雜Fe之MgIn2O4氧化物之物性分析
Physical properties of MgIn2O4 doped with Fe
作者: 黃英哲
關鍵字: 摻雜;Fe;MgIn2O4
出版社: 物理學系
摘要: 
摘要
本研究論文主要研究摻雜Fe進入MgIn2O4形成n型半導體Mg(In2-xFex)O4氧化物系列樣品;材料的製程和其X-ray粉末繞射圖,電阻率與載子濃度隨Fe含量的變化,單位質量的磁化強度對溫度的變化以及各種有關磁化率的相關研究,磁滯曲線的的變化,經分析及歸納,探討其物理特性。
由X-ray粉末繞射圖的結果,晶格常數隨Fe含量的增加而縮小。而剛長好的Mg(In2-xFex)O4導電性很差,電阻率約有108 Ω-cm,當在缺氧的環境下熱處理( anneal )後,材料的電阻率變化明顯下降甚至可到10-2Ω-cm。Mg(In2-xFex)O4會因摻雜Fe越多導電性越差,而載子濃度也隨著Fe含量的增加,從nx=0為1025 m-3 降至nx=0.1為1023 m-3 。磁性由磁化強度表現了順磁性以及維量鐵磁性行為。由實驗數據分析得知每分子具有的有效磁矩μeff;如Fe含量x = 0.1為1.753 B﹔且Fe離子含量x = 0.1的μeff高達17.53μB。而在強磁場且低溫下,測量磁滯曲線,並沒有顯示磁滯的現象,而只呈現出飽和磁化曲線。
URI: http://hdl.handle.net/11455/17110
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