Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/17156
標題: GaP@GaN一維異質結構奈米線之樣品製作與量測
作者: 陳文威
Chen, Wen Wei
關鍵字: GaP;磷化鎵;GaN;heterostructure;nanowire;氮化鎵;異質結構;奈米線
出版社: 物理學系
摘要: 
GaP@GaN異質結構奈米線經由氣液固生長法製備而成,先長成GaP之一維奈米線,外層再披覆一層GaN形成core-shell之異質結構;我們配置GaP@GaN奈米線於無水酒精溶液中,之後我們利用E-beam lithography將奈米線跨上電極,並經由顯影、物理蒸鍍(Physical Vapor Deposition)等製程製作Ti/Al接觸電極。
在電性量測方面,經以上製程所製作的樣品電阻值在1MΩ以內,計算所得之樣品電阻率在0.1~0.3 Ω-cm範圍。我們更在變溫實驗中發現,當溫度降低時,電阻值會有上升的趨勢;也發現電阻值在大氣中較之真空度壓力10-3torr環境下所量得的值大數倍。
在傳輸特性研究方面,載子傳輸會隨著外加的汲極電壓Vds與閘極偏壓Vg改變而呈現出相反之行為,當Vg<0、Vds>0時呈現為n型半導體之I-V特性,當Vg>0、Vds<0時則呈現為p型半導體之I-V特性,可能是異質結構間的能帶結構與能帶間位障改變之影響。
對GaN樣品作熱退火合金化處理來形成歐母接觸,實驗結果電阻值下降了一個數量級,I-V特性曲線呈現線性關係。
URI: http://hdl.handle.net/11455/17156
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