Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/2552
標題: 微電感與微可變電容之整合型晶片製作
Fabrication of integrated chip with micro inductors and micro tunable capacitors
作者: 蔡志豪
HAO, TSAI CHIH
關鍵字: CMOS;標準CMOS製程;micro inductor;tunable capacitor;微電感;可變電容
出版社: 機械工程學系
摘要: 
本論文利用標準0.35μm 1P4M CMOS製程,及不需額外光罩的後製程處理製作微電感和可變電容兩微結構。本論文中所設計的微電感為方形單層螺旋電感與方形多層螺旋電感兩種型式,以及不同線寬的方型多層螺旋電感。可變電容的結構設計為三層電極板的型式,並排列成陣列型式以提高電容量。
後製程處理包含兩個部分,第一部分是鋁金屬(Al)和鎢插銷(W)的蝕刻,而第二部分是對矽基材(Si)進行蝕刻。後製程處理前後,微電感的特性可以被提升,單層型式電感Q值由2.73提升到4.7。多層型式電感線寬為10μm與5μm值分別由2.27提升到3.61與1.66提升到3.17,Q值的提升幅度最大可以達到2倍左右,而共振頻率皆可以提升大於20GHz。可變電容的電容變化量最大值可以達0.04pF。
URI: http://hdl.handle.net/11455/2552
Appears in Collections:機械工程學系所

Show full item record
 

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.