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標題: TFT-LCD微影製程光阻用量優化之研究與分析
Improved utilization and reduced usage of photoresist in the TFT-LCD photo lithography process
作者: 郭丁瑞
Guo, Ding-Ruey
關鍵字: 光阻劑;Resist;微影製程;Lithography process
出版社: 機械工程學系所
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摘要: 
近年來我國薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD, Thin film transistor liquid crystal display )產業面臨各國的競爭及供需結構變化,導致產品獲利能力低落,連年嚴重虧損。欲擺脫此競爭劣勢,可從研發新技術與成本管控著手以增加競爭優勢。然而新技術研發並非能一蹴可及,但成本結構的改善可隨即檢討並執行。對於製造成本的減少製造成本,首先以TFT-LCD 面板製造成本分析,得知微影製程技術中的關鍵材料為光阻劑,其所佔化學品成本比例為14%。針對TFT-LCD製程中光阻用量改善議題,本研究藉由PDCA(戴明循環)改善方法結合實驗設計法來分析光阻耗用之原因加以改善,透過擬定之實驗步驟流程逐步完成驗證,獲得最適化的塗佈參數組合,單片光阻使用量由25cc改為20.7cc,光阻材料成本之改善效益,可節省18.7% 成本支出。

Recently, the product profitability of domestic thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) companies decline, resulting in global competition and excess supply. To improve the profit and competitiveness, development of new technology and control of production cost are probably two of the most important tactics. Compared to long research development time, control of production cost is much easy to achieve. To reduce the production cost, the prices of materials used in manufacturing processes were investigated. Photoresist used in photolithography process shared 14% chemical cost and was one of the most important portions. In this thesis, we improved utilization and reduced usage of photo resist in the TFT-LCD manufacturing process. PDCA Deming Cycle is used in this research. The key parameters of resist consumptions were first analyzed. Then, the utilization of resist was optimized through experimental design method. Finally, 25cc photoresist usage for a piece of TFT-LCD in manufacturing process was reduced to 20.7cc. The cost reduction was around 18.7% of resist cost.
URI: http://hdl.handle.net/11455/2777
其他識別: U0005-2808201203515700
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