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dc.contributor吳嘉哲zh_TW
dc.contributor.author郭丁瑞zh_TW
dc.contributor.authorGuo, Ding-Rueyen_US
dc.contributor.other機械工程學系所zh_TW
dc.date2012en_US
dc.date.accessioned2014-06-05T11:43:55Z-
dc.date.available2014-06-05T11:43:55Z-
dc.identifierU0005-2808201203515700en_US
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dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11455/2777-
dc.description.abstract近年來我國薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD, Thin film transistor liquid crystal display )產業面臨各國的競爭及供需結構變化,導致產品獲利能力低落,連年嚴重虧損。欲擺脫此競爭劣勢,可從研發新技術與成本管控著手以增加競爭優勢。然而新技術研發並非能一蹴可及,但成本結構的改善可隨即檢討並執行。對於製造成本的減少製造成本,首先以TFT-LCD 面板製造成本分析,得知微影製程技術中的關鍵材料為光阻劑,其所佔化學品成本比例為14%。針對TFT-LCD製程中光阻用量改善議題,本研究藉由PDCA(戴明循環)改善方法結合實驗設計法來分析光阻耗用之原因加以改善,透過擬定之實驗步驟流程逐步完成驗證,獲得最適化的塗佈參數組合,單片光阻使用量由25cc改為20.7cc,光阻材料成本之改善效益,可節省18.7% 成本支出。zh_TW
dc.description.abstractRecently, the product profitability of domestic thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) companies decline, resulting in global competition and excess supply. To improve the profit and competitiveness, development of new technology and control of production cost are probably two of the most important tactics. Compared to long research development time, control of production cost is much easy to achieve. To reduce the production cost, the prices of materials used in manufacturing processes were investigated. Photoresist used in photolithography process shared 14% chemical cost and was one of the most important portions. In this thesis, we improved utilization and reduced usage of photo resist in the TFT-LCD manufacturing process. PDCA Deming Cycle is used in this research. The key parameters of resist consumptions were first analyzed. Then, the utilization of resist was optimized through experimental design method. Finally, 25cc photoresist usage for a piece of TFT-LCD in manufacturing process was reduced to 20.7cc. The cost reduction was around 18.7% of resist cost.en_US
dc.description.tableofcontents目錄 致謝 I 摘要 II ABSTRACT III 目錄 IV 圖目錄 VI 表目錄 VIII 一. 緒論 1 1.1 研究背景與動機 1 1.2 研究目的 4 1.3 文獻回顧 5 1.4 論文架構 7 二. 理論背景 8 2.1 薄膜電晶體液晶顯示器 8 2.2 TFT-LCD ARRAY製程 10 2.3 光阻劑分類 14 2.4 光阻塗佈技術 15 2.5 戴明循環 17 三. 研究方法與實驗裝置 21 3.1 PDCA 階段改善步驟 21 3.2 實驗裝置 27 3.3 光阻塗佈流程 29 3.4 光阻膜厚量測 32 3.5 製程能力指標 33 四. 實驗結果與討論 36 4.1 光阻預注頻率降低評估 36 4.2 製程轉換需求-執行前導批機台參數修改 37 4.3 生產製程光阻減量評估 38 4.4 光阻用量優化適用參數驗證 43 4.4.1膜厚重覆性驗證 43 4.4.2 膜厚綜合製程能力分析 45 4.4.3產品檢測驗證 46 4.4.4 效益分析 47 4.5 製程規範標準化 48 五. 結論與建議 49 5.1 結論 49 5.2 建議與未來研究方向 49 參考文獻 51 圖目錄 圖1.1 玻璃基板尺寸與用途之發展趨勢[2] 2 圖1.2 本文研究之流程架構 7 圖2.1 薄膜電晶體液晶顯示器之內部構造 8 圖2.2 液晶顯示器之顯示原理 9 圖2.3 薄膜電晶體構造[18] 9 圖2.4 TFT-LCD 面板製作主要流程 10 圖2.5 ARRAY製程流程 11 圖2.6 微影製程流程 12 圖2.7 熱平板式加熱方式 12 圖2.8 光罩圖形轉移示意圖 13 圖2.9 正負光阻分類 14 圖2.10 光阻狹縫式塗佈方式 16 圖2.11 光阻旋轉塗佈方式 16 圖2.12 PDCA循環[23] 18 圖2.13 PDCA循環改善程序[24] 20 圖3.1 LCD製造成本分析圖 22 圖3.2 ORGANIC產品ARRAY製程材料成本分析圖 23 圖3.3 特性要因圖 24 圖3.4 TEL CS800S型COATER機台 28 圖3.5 TEL CS800 COATER機構配置圖 28 圖3.6 COATER機台光阻塗佈流程 29 圖3.7 COATER光阻旋塗示意圖 30 圖3.8 轉速和時間關係圖 31 圖3.9 玻璃基板洗邊示意圖 31 圖3.10  K-MAC ST-8K膜厚量測儀 32 圖3.11 膜厚量測位置示意圖 33 圖3.12 製程能力與常態分佈圖 34 圖4.1 光阻噴嘴阻塞狀況 36 圖4.2 CD平均值與各UNIT停留時間關係圖 38 圖4.3 光阻塗佈不均(POOR COATING)現象圖 38 圖4.4 光阻塗佈平均膜厚之主效應圖 40 圖4.5 光阻塗佈膜厚均勻度(U%)之主效應圖 41 圖4.6 光阻塗佈POOR COATING主效應圖 42 圖4.7 光阻用量優化實驗之交互作用 42 圖4.8 重覆性驗證膜厚常態機率圖 43 圖4.9 驗證區間膜厚常態機率圖 45 圖4.10 光阻塗佈新參數之製程能力分析 45 表目錄 表1.1 TFT-LCD產業2011年產值與2012年預估產值分析表[1] 1 表1.2 全球TFT-LCD 面板生產線設立時程表[3] 3 表1.3 亞洲競爭國家TFT-LCD 產業競爭項目優劣比較表[3] 3 表2.1 各種塗佈方式之膜厚與均勻度比較[21] 15 表2.2 旋轉塗佈常見色差現象[22] 17 表3.1 光阻用量優化改善步驟 21 表3.2 ORGANIC光阻單片用量設定 23 表3.3 特性要因矩陣評估表 25 表3.4 光阻用量統計 26 表3.5 光阻量偏高要因改善對策表 26 表3.6 TEL CS800 COATER機台參數設定 29 表3.7 綜合製程能力等級說明 35 表4.1 光阻預注條件設定修改前後比較表 37 表4.2 實驗設計直交表 39 表4.3 DOE實驗結果數據 39 表4.4 膜厚(MEAN)要因變異數分析表 40 表4.5 膜厚均勻度(U%)要因變異數分析表 41 表4.6 光阻塗佈新參數之膜厚量測數據表 44 表4.7 產品小量驗證統計表 46 表4.8 產品放量驗證統計表 46 表4.9 光阻減量各項目改善效益表 47 表4.10 ORGANIC製程規範光阻與THINNER用量規格 48zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.publisher機械工程學系所zh_TW
dc.relation.urihttp://www.airitilibrary.com/Publication/alDetailedMesh1?DocID=U0005-2808201203515700en_US
dc.subject光阻劑zh_TW
dc.subjectResisten_US
dc.subject微影製程zh_TW
dc.subjectLithography processen_US
dc.titleTFT-LCD微影製程光阻用量優化之研究與分析zh_TW
dc.titleImproved utilization and reduced usage of photoresist in the TFT-LCD photo lithography processen_US
dc.typeThesis and Dissertationzh_TW
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
item.openairetypeThesis and Dissertation-
item.cerifentitytypePublications-
item.fulltextno fulltext-
item.languageiso639-1zh_TW-
item.grantfulltextnone-
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