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標題: 應用於薄膜電晶體之半色調光罩微影製程參數特性探討
Study on the Effect of Photolithography Process Parameters in the Half-Tone Mask for Thin Film Transistors
作者: 劉禹廷
Liu, Yu-Ting
關鍵字: 薄膜液晶顯示器;TFT LCD;半色調光罩;微影製程;Half-Tone mask;Photolithography
出版社: 光電工程研究所
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摘要: 
薄膜電晶體液晶顯示器產業中,大部分以五道光罩製程的方式生產,包含閘極電極、半導體層、源極及汲極電極、保護層以及畫素電極,本論文主要討論利用半色調光罩的微影製程後,在電晶體相對位置上,因光阻受曝光能量不同,產生光阻薄殘的效果,再透過兩次濕式蝕刻、兩次乾式蝕刻及一次剝膜,完成半導體層、源極及汲極電極圖形,而只須一次微影製程,減少一道光罩的製程。期間透過微影製程中各項參數,找出對第一次乾式蝕刻有最大欲度的條件如真空乾燥、軟烤、溫度控制機構、曝光機及顯影…等各項參數,各種條件組合該如何搭配選擇,須以各面板廠生產製程條件、成本及利潤評估後,選擇適合條件參考之。

In general, most of five-mask process production are the thin-film transistor liquid crystal display industry including gate electrode, semiconductor layer, source, drain electrodes, and protective layer as well as the pixel electrode. The main topic of this thesis is to use of half-tone mask photolithography in the transistors on the relative position of the photo resist by exposure energy to produce thin residual effect. Then go through wet etching twice, dry etching twice and stripping once to complete semiconductor layer, the source and drain electrode pattern. It only required photolithography process once but in the same time it can reduce mask process once.
During a photolithography parameters process, it can identify the maximum process window of the first dry etching conditions such as vacuum dry, soft bake, temperature control unit, exposure and developer. The various combinations of criteria with selection on each TFT-LCD factory production process conditions, cost and profit assessment that can all refer to the thesis on the selection of the appropriate productive conditions.
URI: http://hdl.handle.net/11455/3006
其他識別: U0005-3001201323330300
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