Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/4109
DC FieldValueLanguage
dc.contributor張守一zh_TW
dc.contributor蔡宗良zh_TW
dc.contributor.advisor林佳鋒zh_TW
dc.contributor.author張藝耀zh_TW
dc.contributor.authorChang, Yi-Yaoen_US
dc.contributor.other中興大學zh_TW
dc.date2007zh_TW
dc.date.accessioned2014-06-06T06:27:02Z-
dc.date.available2014-06-06T06:27:02Z-
dc.identifierU0005-2607200614033800zh_TW
dc.identifier.citation[1] 劉如熹、林益山、廖秋峰,“LED 照明光源展望(一):從 藍光紫外光到白光”,工業材料雜誌,220期,pp137-142 ,民94年4月。 [2] 陳興,“白光發光二極體簡介”,工業材料雜誌,162 期 ,pp133 –134,民89 年6 月。 [3] J. I. Pankove, E. A. Miller, D. Richman, J. E. Berkeyheiser, "Electrolu-minescence in GaN," J. of Luminescence, vol.4, pp.63-66, 1971. [4] 史光國編著,“現代半導體發光及雷射二極體材料技術” ,全華科技圖書股份有限公司,2001。 [5] 林正洋,“藍紫光雷射與氮化物材料特性之分析”,國立 彰化師範大學光電工程技術研究所碩士論文,民93年6月。 [6] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and T.Toyoda, "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer," Appl.Phys. Lett., vol.48, pp.353-355, 1986. [7] H. Amano, M.Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, "p-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy elecron beam irradiation," Jpn. J. Appl.Phys., vol.28, pp.L2112-L2114, 1989. [8] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, "Thermal annealing eff- ects on p-type Mg-doped GaN films," Jpn. J. Appl. Phys., vol.31, pp. L139-L142, 1992. [9] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai,“Superbright Green InGaN Single- Quantum-Well-Structure Light-Enmitting Diodes,” Jpn. J. Appl. Phys. vol.34, pp.L1332-L1335, 1995. [10] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. I. Nagahama ,“High-power InGaN single-quantum-well-structure blue and violet light-emitting diodes,” Appl. Phys. Lett. 67, pp. 1868−1870 (1995). [11] 陳泰祥,“氮化銦鎵與氮化鎵量子井發光二極體的光學特 性研究”,中原大學應用物理研究所碩士學位論文,民93 年6月。 [12] 林正洋,“藍紫光雷射與氮化物材料特性之分析”,國立 彰化師範大學光電工程技術研究所碩士論文,民93年6月。 [13] S.M. Sze, “Semiconductor Devices Physics and Technology, ” 2nd edition ,John Wiley&Sons Inc,2002. [14] 戴菁甫,“氮化鎵/氮化銦鎵多層量子井藍光二極體之研製 及其光電特性之研究”,國立中央大學電機工程研究所碩士 論文,民89年6月。 [15] 方啟鑫,“高反射p型氮化鎵歐姆接觸之研究”,國立中央 大學電機工程研究所碩士論文,民92年10月。 [16] 林昭穎、韓偉國,“高亮度LED 之光學與封裝設計趨勢 介紹”,工業材料雜誌,208 期,pp131-141,民93年4月。 [17] 田運宜,“白光LED 用透明封裝材料技術”,工業材料雜誌 ,229期,pp85-97,民95年1 月。 [18] 張坤樹,“靜電發生、靜電感應和靜電放電問題之探討”, 台灣電磁相容研討會論文集,pp.82-84,1999。 [19] JEDEC STANDARD JESD22-A114-B“Electrostatic Discha- rge(ESD)Sensitivity Testing Human Body Model (HBM)﹒”JEDEC SOLID STATE Technology Association‚June 2000. [20] http://www.ics.ee.nctu.edu.tw/ ~mdker/ESD/index/index2.html [21] EIA/JEDEC STANDARD EIA/JESD22-A115-A“Electrostatic Discharge (ESD)Sensitivity Testing Machine Model (MM)﹒”Electronic Industries Association‚October 1997. [22] http://www.ics.ee.nctu.edu. tw/~mdker/ESD/index/index2.html [23] Y. K. Su, S. J. Chang, S. C. Wei, Shi-Ming Chen, and Wen-Liang Li,”ESD Engineering of Nitride-Based LEDs,” IEEE Transactions on device and materials reliability, VOL.5,NO.2,pp.277-281 ,JUNE 2005. [24] 張玉姍、楊富翔、王浩偉,“LED裸晶光性檢測技術”, 量測資訊,104期,民94年7月。 [25] 陳穎慧,“基礎光度學與量測實務”,量測資訊,106期, 民94年11月。zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11455/4109-
dc.description.abstract晶粒成品依照客戶規格需求出貨給下游封裝與應用端後,往往會遇到產品失效性問題,這些問題有眾多原因牽涉到發光二極體的光電特性,例如晶粒不發光、電壓偏高或偏低、發光亮度不足、波長不符合客戶所要的規格、有漏電流現象…,以致於封裝廠或是應用端都將這些問題歸因於中游晶粒廠,並要求或委託晶粒廠做原因分析,本論文即針對藍光發光二極體的失效性問題,做一分析與探討。 在客戶訴願案件中,光電特性失效性問題裡佔最大比例的是靜電放電(ESD)的破壞,當晶粒面臨靜電放電問題,並於晶粒表面出現擊穿點時,對於晶粒而言會產生漏電流過大、電壓偏低、不發光的現象。經由ESD電壓強度大小瞬間衝擊實驗,發現晶粒只要沒有出現擊穿點,各種光電特性都不會受到任何的影響。在分析中發現,打線重工會造成晶粒的損壞,例如電壓偏高或偏低、亮度不足。LED不發光現象除了是ESD所造成的外,晶粒電極上打線附著力不足情況下,再經由環氧樹脂封裝後,其所產生的應力將導致金線脫落,是開路的主要原因。在這裡我們歸納出三大失效模式,分別為封裝品質、ESD破壞、點測手法。zh_TW
dc.description.abstractThe failure analysis are consisted with non-emission light﹑voltage high or low﹑insufficient of luminance and high leakage current, etc. Based on customer requirement and specification, blue light emitting diode(LEDs)chips will be shipped for package or application factory(customer). For these reasons, the customers have required and commissed the LED factory to analyze the LED chips optical and electrical property of LED chips. The failure mode analysis and experimental investigation of blue LED are discussed in this thesis. According to customer complaint cases, the main failure cases is ESD damage. The ESD damage is found on LED chips, typically high leakage current, low driving voltage and no emission light will be shown. The performance is similar on non-damaged LED chips after ESD experiment on different test condition is done. From the experiment results, the chip could be damage by wire bonding rework to induce higher voltage and lower insufficient of luminance. The non- emission problem of LED is not only caused by the ESD damage, the low adhesive strength of wire bonding or high interface stress of expoxy will cause open issue.en_US
dc.description.tableofcontents致謝I 中文摘要II 英文摘要Ⅲ 目錄Ⅳ 圖目錄Ⅵ 表目錄Ⅷ 第一章 緒論..............................................1 1.1前言..................................................1 1.2研究動機與目的........................................2 1.3論文架構..............................................2 第二章 氮化鎵藍光發光二極體之介紹........................4 2.1 發展歷史.............................................4 2.2 發光原理.............................................6 2.3 製程與結構之介紹.....................................8 2.4 透明導電層與歐姆接觸................................12 2.5 封裝簡介............................................14 第三章 靜電放電與氮化鎵LED晶粒..........................17 3.1靜電感應之發生與放電機制.............................17 3.2 靜電放電模式與測試標準..............................19 3.2.1人體放電模式.......................................19 3.2.2機器放電模式.......................................21 3.3靜電放電與LED晶粒....................................23 第四章 量測技術與分析流程...............................24 4.1量測儀器與相關設備...................................24 4.2常用光電特性量測參數介紹.............................25 4.3靜電放電模擬測試.....................................28 4.4紅墨水測試與用途.....................................30 4.5失效分析流程.........................................31 第五章 實驗與量測分析...................................33 5.1漏電流異常分析與實驗.................................33 5.1.1漏電流異常案例分析.................................33 5.1.2 ESD強度大小對晶粒光電特性之影響...................37 5.1.3 ESD擊穿點之分析與探討.............................38 5.1.4 ESD造成擊穿點在晶粒表面上的分佈狀況...............44 5.1.5漏電流異常與ESD實驗結論............................47 5.2電壓偏高異常分析與探討...............................48 5.3 不發光異常分析與探討................................50 5.4亮度偏低異常分析與探討...............................52 5.4.1封裝後有亮度不足的現象產生.........................52 5.4.2粗化晶粒亮度減弱原因...............................54 5.5波長不符規格之異常分析與探討.........................57 第六章 討論與結論.......................................59 參考文獻................................................61 附錄....................................................63zh_TW
dc.language.isoen_USzh_TW
dc.publisher精密工程學系所zh_TW
dc.relation.urihttp://www.airitilibrary.com/Publication/alDetailedMesh1?DocID=U0005-2607200614033800en_US
dc.subjectBlue light emitting diodeen_US
dc.subject藍光二極體zh_TW
dc.subjectFailure analysisen_US
dc.subjectGaInN/GaNen_US
dc.subject失效性zh_TW
dc.subject氮化銦鎵/氮化鎵zh_TW
dc.title藍色發光二極體失效分析與實驗探討zh_TW
dc.titleFailure Mode Analysis and Experimental Investigation of Blue GaInN/GaN Light-Emitting Diodesen_US
dc.typeThesis and Dissertationzh_TW
item.languageiso639-1en_US-
item.openairetypeThesis and Dissertation-
item.cerifentitytypePublications-
item.grantfulltextnone-
item.fulltextno fulltext-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
Appears in Collections:精密工程研究所
Show simple item record
 
TAIR Related Article

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.