Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/47685
標題: The Influence of Oxygen Partial Pressure and Metallic Impurities on the Oxidation-Induced Stacking Faults in Silicon
氧分壓與金屬不純物對矽氧化疊差之影響
作者: 呂福興
關鍵字: 矽;Silicon;材料科技;氧化疊差;氧分壓;金屬不純物;電子能量耗失分析儀;應用研究;Oxidation-induced stacking fault;Oxygen partial pressure;Metallic impurity;Electron energy-loss spectroscopy
摘要: 
本計劃之主要目的為探討在高溫時控制氣氛(氧分壓)與金屬不純物對矽氧化疊差生成之影響。過去二、三十年中已有相當多有關氧化疊差的研究,目前已知矽晶片表面若生成氧化疊差,尤其當氧化疊差上若飾附著金屬不純物時,會導致元件劣化甚至失效。但氧化疊差的確切生成機制至今卻尚未有定論。本研究之終極目的即是期盼對其確切生成機制有進一步之了解。本研究內容主要可分為以下二重要參數,探討其對矽表面氧化疊差之影響:(一) 氧分壓 - 在氣氛爐中分別通入氧氣、空氣、氮氣、一氧化碳/二氧化碳混合氣等,以調配不同之氧分壓,並檢測與分析在同一氧化溫度與時間,氧分壓對氧化疊差密度與長度之影響。(二) 金屬不純物 - 將鐵、鎳、銅等金屬不純物配置成硝酸鹽或硫酸鹽溶液後,滴在矽晶片上,觀測在高溫同一氣氛及同一氧化溫度時間下,這些金屬不純物對氧化疊差密度與長度之影響。另更進一步以穿透式電子顯微鏡附設之電子能量耗失分析儀,分析氧化疊差上所可能飾附之這些金屬不純物。
URI: http://hdl.handle.net/11455/47685
其他識別: NSC87-2216-E005-001
Appears in Collections:材料科學與工程學系

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