Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/48587
標題: First-Principle Studies in New Epitaxial Group-IV Semiconductor Heterostructures based on Si, Sn, and Ge
新四族化合物半導體Si-Sn-Ge之第一原理計算研究
作者: 劉柏良
關鍵字: 基礎研究;laser;物理類;雷射;奈米光學元件;四族化合物半導體;磊晶;第一原理計算;nanophotonics;group-IV semiconductor;epitaxy;first-principles calculation
摘要: 
SnxGe1-x 與 SixSnyGe1-x-y 薄膜元件由於具備可調式晶格常數,可用於磊晶之緩衝層,亦同時具備可調節能隙寬度,可用於發展波長在紅外線範圍之廉價雷射及奈米光學元件,故此等薄膜元件已被視為次世代之國境安全與軍事科技所需之關鍵元件。今年初,美國亞利桑那州立大學John Kouvetakis教授所領導之團隊業獲得MURI 補助(美國空軍科學研究辦公室提供總金額1.5 億美元經費,計劃在未來5 年?研究一種可收集和儲存太陽能和熱能的航空器,此研究計畫命名為多學科大學研究啟蒙MURI),用以研發新四族化合物半導體材料Si-Sn-Ge,本研究計劃將結合該團隊之實驗研究成果,以第一原理計算新四族化合物半導體薄膜元件之磊晶穩定性、量子井中導電帶井深對價電帶井深之比值與電子結構。期望經由本研究計劃能對新四族化合物半導體薄膜元件之應變性質、光學性質與載子傳輸性質能有進一步探索。
URI: http://hdl.handle.net/11455/48587
其他識別: NSC95-2112-M005-015-MY3
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