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dc.contributor鄭曼婷zh_TW
dc.contributorMan-Ting Chengen_US
dc.contributor張豐堂zh_TW
dc.contributorFeng-Tang Changen_US
dc.contributor.advisor望熙榮zh_TW
dc.contributor.advisorShizoom Wangen_US
dc.contributor.author劉良億zh_TW
dc.contributor.authorLiu, Liang-Yien_US
dc.contributor.other中興大學zh_TW
dc.date2009zh_TW
dc.date.accessioned2014-06-06T06:34:47Z-
dc.date.available2014-06-06T06:34:47Z-
dc.identifierU0005-2008200800120600zh_TW
dc.identifier.citation1. 白曛綾、楊泰辰、黃文賢,「園區半導體製造業廢氣處理及排放調查研究」,行政院國家科學委員會,C89131(88.12.1-89.11.30)。 2. 白曛綾、賴慶智、林育旨、康育豪、李谷蘭、曾映棠、劉政彰、陳建志、張國財、劉惠綺、楊德志, “新竹科學園區半導體及光電製造業空氣污染防制設施績效提升輔導”,2001。 3. 白曛綾、盧重興、曾映棠、許世杰、張國財、林育旨、林家欣、陳建志、洪錦德,“新竹科學園區半導體及光電製造業空氣污染防制設施績效提升輔導II”,2002。 4. 世界先進,聯宙企業有限公司VOC連續自動監測系統軟體操作手冊,2000。 5. 林育旨、白曛綾、張豐堂,工業污染防治 第 89 期季刊,pp.23-31,2004。 6. 林其璋、王登楷、林坤讓、潘建成、陳良棟、陳玲慧,台灣工業部門溫室氣體減量工作推動現況與展望報告, 2006。 7. 林樹榮,半導體業空氣污染物污染防治法規及可行控制技術講義,2001。 8. 周明顯,「揮發性有機物及臭味控制技術」,環保資訊月刊第54期,2002/10。 9. 周明顯,光電半導體VOCs 處理成本分析及效益評估報告,2004。 10. 望熙榮譯著,AIR POLLUTION CONTROL-A Design Approach C. David Cooper, F.C. Ally, 1996. 11. 張書豪及張木彬,科學園區空氣污染物排放特性之探討,國科會研究報告,2000。 12. 張豐堂,「次世代面板廠揮發性有機氣體淨化設備的特性研究」,博士論文,清華大學,2005 。 13. 張豐堂及張智能, 化工技術第14卷第一期, p2772-1~9,2006。 14. 經濟部工業局,「半導體清潔生產技術手冊」,2001/12。 15. 經濟部工業局,「空氣污染防制處理技術講習會」講義,2002。 16. 經濟部,“全國能源會議具體結論”,2005。 17. 經濟部能源局-能源產業溫室氣體資訊中心,固定源與移動源(燃料)CO2,http://eigic.estc.tw/download/emission_factors.xls。 18. 環保署,排放管道中總有機氣體檢測方法-火燄離子化分析儀,NIEA A433.71C,2000。 19. 環保署,「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」, http://www.epa.gov.tw,1999。 20. 環境保護署,「特定行業揮發性有機物污染檢測及污染物特性分析計畫」,EPA-91-FA12-03-A220,民國九十一年。 21. 劉良億、林哲弘、陳清良,世界先進廠務V0Cs去除設備教材,2001。 22. 謝祝欽,「半導體業產生有害空氣污染物處理技術」,國科會/環保署八十八年科技合作研究計畫期末報告,1999。 23. Blocki, S.W. Hydrophobic Zeolite Adsorbent: A Proven Advancement in Solvent Separation Technology; Environ. Proc. 1993, 12 (3), 226-230. 24. C.David Cooper, F.C.Ally, AIR POLLUTION CONTROL-A Design Approach ,1996. 25. Chang, F.T.; Pei, P.S.; Chuah, Y.K. Performance of Honeycomb VOCs Concentrators for an Exhaust Gas. In 8th Conference on Aerosol Science and Technology; Hsin-Chu, Taiwan, 2000; pp 552-557. 26. F.T. Chang, Y.C. Lin, H.L. Bai, and B.S. Pei,“Adsorption and Desorption Characteristics of VOCS'' on the Thermal Swing Honeycomb Zeolite Concentrator”,Journal of the Air & Waste Management Association,2003, Vol. 53, pp. 1384-1390. 27. Gilbert M.masters,INDTRODUCTION TO ENVIRONMENTAL ENGINEERING AND SCIENCE , 1997. 28. Gupta, A.; Crompton, D. Choosing the Right Adsorption Medium for VOC Control; Metal Finish. 1993, 91 (11), 68-72. 29. Intergovernmental Panel on Climate Change, IPCC, Third Assessment Report, TAR ,2001。 30. Kuma, T. Gas Adsorbing Element and Method for Forming Same. U.S.Patent 5348922, 1994. 31. Lewandowski D. A., Design of thermal oxidation systems for volatile organic compounds, ISBN 1-56670-410-3, CRC Press LLC,2000. 32. Mitsuma,Y.,Yamauchi, H.,Hirose, T. Analysis of VOC Reversing Adsorption and Desorption Characteristics for Actual Efficiency Predictionfor Ceramic Honeycomb Adsorbent; J. Chem. Eng. Japan 1998,31, 253-257. 33. Mitsuma, Y.; Yamauchi, H.; Hirose, T. Performance of Thermal Swing Honeycomb VOCs Concentrator; J. Chem. Eng. Japan 1998, 31, 482-484.9. 34. Noel de Nevers ,AIR POLLUTION CONTROL ENGINEERING, 2000. 35. USEPA,“Handbook: Control Technologies for Hazardous Air Pollutants,” EPA/625/6-91/014,June, 1991. 36. William P. Cunningham, Mary Ann Cunningham,PRINCIPELS OF ENVIRONMENTAL SCIENCE:INQUIRY AND APPLICATIONS,2ND E , 2004.zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11455/5432-
dc.description.abstract自從行政院環保署在民國89年7月1日正式施行「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」,嚴格管制晶圓製造所排放之空氣污染物後,半導體業紛紛設置了揮發性有機廢氣防制設施以符合法規排放要求,眾多防治技術中,以設置沸石濃縮轉輪焚化系統為大部分半導體業的首選,於是有了大量天然氣作為助燃的需求,而目前半導體業的沸石濃縮轉輪焚化系統在排放量與削減率的操作表現上優於法規要求甚多。 而在全球暖化嚴重的今日,全世界正為如何減少溫室氣體排放而努力的同時,半導體業又開始大量使用天然氣產生溫室氣體。溫室氣體中又以二氧化碳排放被最為重視,其產生絕大部分是因製造工業使用石化燃料,所以如何減碳就變成一個重要的課題。 沸石濃縮轉輪焚化系統以天然氣為助燃燃料,以焚化溫度比揮發性有機物質之自燃溫度高的情況下起氧化作用,以達減低揮發性有機廢氣的排放。但燃燒天然氣所產生的二氧化碳與被燒掉的揮發性有機廢氣所產生的二氧化碳排放,以減碳的觀點研究他們的關係就是本論文研究的重點,並且就實驗過程中沸石濃縮轉輪削減率下降之發現作說明。zh_TW
dc.description.abstractAfter the Environmental Protection Administration of the the Executive Yuan formally executed the Semiconductor Industry Air Pollutant Control and Emission Standards on Jul/ 1/2000, they strictly controlled the emission of the air pollutant coming from the semiconductor manufacturing. Therefore the semiconductor manufacture continually set up the Volatile Organic Compounds (VOCS) Abatement Control System to meet with the emission regulation. Among many techniques of VOCs abated control, the installation of Zeolite Rotary Adsorber with Thermal Oxidizer is the first-best choice for most of the semiconductor industry. With the requirement of large amount of nature gas supporting the combustion in Thermal Oxidizer and the semiconductor industry utilizes the Zeolite Rotary Adsorber with Thermal Oxidizer to operate the reduction of pollutant emission and enhanced cut down rate at present. And the result is much better the demand to the regulations cause of a lot of nature gas using. However, today's global warming is becoming more and more serious, and the whole world is struggling for reducing the emission of greenhouse gases and Semiconductor Industry began to exhausting nature gas at same time . The emission of carbon dioxide of all the greenhouse gas is valued most. The carbon dioxide mostly results from the burning of the petrochemical fuel in Industry manufacture. Therefore, “how to cut down carbon dioxide emission” becomes a serious issue and goal for world wild. The Zeolite Rotary Adsorber with Thermal Oxidizer utilities the nature gas as the combustion-supporting fuel to cut down the emission of VOCs while the incinerated temperature is higher than the autoignition temperature of VOCs and produce oxidized action in Thermal Oxidizer. Based on the point of cutting down carbon emission, I study on the emission of carbon dioxide, which comes from the burning of the nature gas and the VOCs's emission. Therefore the relation between them is the focus in my research, and gives an explanation about the detection of lowering the cut down rate of Zeolite Rotary Adsorber with Oxidizer during the process of the experiment.en_US
dc.description.tableofcontents中文摘要………………………………………………………i 英文摘要………………………………………………………iii 目錄………………………………………………………v 表目錄………………………………………………………viii 圖目錄………………………………………………………ix 附錄………………………………………………………xii 第1章 前言 1-1 研究動機……………………………………………………1 1-2 研究目的……………………………………………………2 1-3 研究方法……………………………………………………3 第2章 文獻回顧 2-1揮發性有機物之定義及排放標準 …………………………5 2-2半導體業揮發性有機廢氣來源、特徵及排放比例………6 2-3沸石吸附濃縮焚化系統介紹………………………………16 2-4沸石吸附濃縮焚化系統削減率操作與天然氣使用現況……47 2-5溫室氣體對環境的衝擊 …………………………………… 48 2-6文獻總結及研究方向 ……………………………………… 51 第3章 燃燒爐天然氣用量調整 3-1 VOCs天然氣用量調整方法 …………………………………52 3-2 沸石吸附濃縮焚化系統之設計與VOCs削減條件 說明 …………………………………………………………53 3-3調整TO燃燒溫度目標之設定與實驗階段安排 ………… 54 3-4天然氣用量調整前/後之VOCs削減數據收集 …………… 55 第4章 結果分析與討論 4-1 TO 爐膛燃燒溫度調降與VOCs 排放濃度關係之CO2 排放計算 …………………………………………………… 63 4-2 外氣溫度對VOCs削減率之影響 ………………………… 66 4-3 討論 …………………………………………………………71 第5章 結論與建議 5-1 結論 ………………………………………………………… 73 5-2 建議 ………………………………………………………… 73 參考文獻 ………………………………………………………… 75 附錄 1 TO燃燒溫度730℃下每五分鐘一筆的VOCs排放量值…………80 附錄2 TO燃燒溫度670℃下每五分鐘一筆的VOCs排放量值………………89 附錄 3 經濟部能源局-能源產業溫室氣體之固定源與移動源(燃料) CO2排放係數表…………………98 表目錄 表1-1半導體業主要VOCs防制設備設置與成本概況………………2 表2-1 世界先進晶圓一廠VOCs成份分析(重量百分比) …………10 表2-2半導體廠主要排放VOCs種類及其所佔廢氣有機成分比例…11 表2-3半導體及光電製程煙道揮發性有機物(VOC)排放質量統計…13 表2-4各種VOCs控制技術之比較……………………………………15 表2-5 碳氫化合物破壞效率與燃燒溫度之模式……………………29 表 2-6 半導體業VOCs排放調查 ……………………………………48 表2-7 全球增溫潛勢 global warming potential, GWP表………49 表 3-1 天然氣調整前之各項數據一覽表(TO 爐膛燃燒溫度:730℃ (1362℉)) ……………………………………………………57 表 3-2 天然氣調整後 (TO 爐膛燃燒溫度:700℃ (1292℉)) 之各項數據一覽表……………………………………………………59 表 3-3 天然氣調整後 (TO 爐膛燃燒溫度:670℃ (1238℉)) 之各項數據一覽表……………………………………………………61 表 4-1天然氣調整後數據分析……………………63 表 4-2 實驗總結表……………………………………………………66 圖 目 錄 圖1-1 研究方法與流程示意圖……………………………………… 4 圖2-1積體電路製程中VOCs發生源…………………………………9 圖2-2 有機廢氣處理之相對費用及適用方法………………………14 圖2-3沸石濃縮轉輪與恢復式焚化爐系統圖……………………… 17 圖 2-4 沸石轉輪箱體照 …………………………………………… 18 圖 2-5 沸石轉輪表面 ……………………………………………… 18 圖2-6 不同氣流進流溫度下對於系統去除IPA 之效率影響 …… 23 圖2-7 不同氣流進流溼度(水份)與VOCS 在沸石轉輪上之競爭性 吸附情形 ……………………………………………………………… 24 圖2-8 不同脫附溫度下,轉輪吸附區出口表面各轉度位置之IPA去除效率 ……………………………………………………………… 24 圖2-9 沸石濃縮轉輪與恢復式焚化爐系統圖-濃縮轉輪功能介紹……………………………………………………………………… 25 圖2-10 沸石濃縮轉輪區域功能說明 ……………………………… 26 圖2-11燃燒爐燃燒流程圖 ………………………………………… 32 圖 2-12燃燒爐外型圖 ……………………………………………… 33 圖 2-13 THC分析儀圖片 …………………………………………… 35 圖 2-14 FID 分析原理示意圖 ……………………………………… 36 圖 2-15 VOC 連續監測及THC量測儀參數設定畫面……………… 41 圖 2-16 THC量測儀畫面 ……………………………………………41 圖 2-17流量監測及參數設定畫面 …………………………………42 圖 2-18各種儀錶運轉值歷史 ………………………………………42 圖 2-19 VOC 排放報表圖 ……………………………………………43 圖 3-1 TO燃燒溫度調整 PID 示意圖………………………………53 圖 3-2天然氣調整前之削減率趨勢圖(TO 爐膛燃燒溫度:730℃ (1362℉)) ……………………………………………………………58 圖 3-3天然氣調整前(TO 爐膛燃燒溫度:730℃ (1362℉))之外氣溫度趨勢圖 …………………………………………………………58,68 圖 3-4天然氣調整後(TO 爐膛燃燒溫度:700℃ (1292℉))之削減率趨勢圖 ……………………………………………………………… 60 圖 3-5天然氣調整 (TO 爐膛燃燒溫度:700℃ (1292℉))時之外氣溫度趨勢圖 …………………………………………………………60,69 圖 3-6 天然氣調整後(TO 爐膛燃燒溫度:670℃ (1238℉))之削減率趨勢圖 ……………………………………………………………… 62 圖 3-7天然氣調整(TO 爐膛燃燒溫度:670℃ (1238℉))時之外氣溫度趨勢圖……………………………………………………………62,70 圖4-1 MINITAB T 檢定-TO 燃燒溫度 於730℃ 與670 ℃ 之VOCs排放量……………………64 圖4-2 VOCs 進沸石轉輪前溫度 與 VOCs削減率關係圖-1 …… 68 圖4-3 VOCs 進沸石轉輪前溫度 與 VOCs削減率關係圖-2 …… 69 圖4-4 VOCs 進沸石轉輪前溫度 與 VOCs削減率關係圖-3 …… 70 圖4-5 溫度對沸石轉輪吸附之影響關係圖 ………………………71 附 錄 附錄1 TO燃燒溫度730℃下每五分鐘一筆的VOCs排放量值……82 附錄2 TO燃燒溫度670℃下每五分鐘一筆的VOCs排放量值……91 附錄 3 經濟部能源局-能源產業溫室氣體之固定源與移動源(燃料) CO2排放係數表…………………98zh_TW
dc.language.isoen_USzh_TW
dc.publisher環境工程學系所zh_TW
dc.relation.urihttp://www.airitilibrary.com/Publication/alDetailedMesh1?DocID=U0005-2008200800120600en_US
dc.subject半導體製造zh_TW
dc.subjectSemiconductor Industryen_US
dc.subject半導體製造業空氣污染管制及排放標準zh_TW
dc.subject揮發性有機廢氣zh_TW
dc.subject天然氣zh_TW
dc.subject沸石濃縮轉輪焚化系統zh_TW
dc.subject全球暖化zh_TW
dc.subject溫室氣體zh_TW
dc.subject二氧化碳排放zh_TW
dc.subject自燃溫度zh_TW
dc.subject減碳zh_TW
dc.subjectSemiconductor Industry Air Pollutant Control and Emission Standardsen_US
dc.subjectVolatile Organic Compounds (VOCs)en_US
dc.subjectnature gasen_US
dc.subjectZeolite Rotary Adsorber with Thermal Oxidizer, global warmingen_US
dc.subjectgreenhouse gasesen_US
dc.subjectcarbon dioxide emissionen_US
dc.subjectautoignition temperatureen_US
dc.subjectcutting down carbon emissionen_US
dc.title半導體業VOCs減量控制與環境衝擊之研究zh_TW
dc.titleA Study on the Relationship between VOCs Control and its Impact on Environment in the Semiconductor Industryen_US
dc.typeThesis and Dissertationzh_TW
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
item.openairetypeThesis and Dissertation-
item.cerifentitytypePublications-
item.fulltextno fulltext-
item.languageiso639-1en_US-
item.grantfulltextnone-
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