Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/56235
DC FieldValueLanguage
dc.contributor蔡坤旺zh_TW
dc.contributor.author洪瑞華zh_TW
dc.contributor.author武東星zh_TW
dc.contributor.author江彥志zh_TW
dc.contributor.author邱麒穎zh_TW
dc.date2004-02zh_TW
dc.date.accessioned2014-06-06T09:05:32Z-
dc.date.available2014-06-06T09:05:32Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11455/56235-
dc.description.abstract本發明係關於一種高亮度發光二極體(Light Emitting Diode,LED)及其製造方法。本發明之發光二極體包括一磷化鎵光窗及一鏡面反射層,可使亮度大為提高。本發明製造發光二極體之方法則特別包括於將一完成 LED結構與製程之磊晶層上貼附(bonding)一玻璃基板,再將磊晶用之暫時基板移除,並鍍上鏡面反射層,且於鏡面反射層底部貼附(bonding)一永久基板後,而後可將玻璃基板去除。藉由此二次貼附程序,可維持鏡面反射率,並保有厚視窗層於發光面上,更可提供一散熱佳之基板,可使製造過程更簡易、快速、而又達高效率、高功率之 LED。五、(一)、本案之指定代表圖為:第7圖 (二)、本代表圖之元件代表符號簡單說明:第一披覆層11 活性發光層12 第二披覆層13磷化鎵磊晶層21 金屬接觸層22 鏡面反射層25 p型歐姆接觸電極31 n型歐姆接觸電極32 透明導電膜33黏著層41 永久基板42zh_TW
dc.language.isozh_TWzh_TW
dc.publisher材料科學與工程學系zh_TW
dc.relation.urihttp://twpat.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkmen_US
dc.title高亮度發光二極體及其製造方法zh_TW
dc.typePatentzh_TW
item.fulltextno fulltext-
item.languageiso639-1zh_TW-
item.openairetypePatent-
item.cerifentitytypePublications-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
item.grantfulltextnone-
Appears in Collections:材料科學與工程學系
Show simple item record
 
TAIR Related Article

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.