Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/56254
標題: 具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法
作者: 武東星
洪瑞華
蔡宗晏
出版社: 材料科學與工程學系
摘要: 
一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,製備一第一基板,接著,於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層,該氧化鎵犧牲層滿足GaOx,其中0.5≦x≦3.5,而後,於該氧化鎵犧牲層上磊晶成長一磊晶結構層,利用移除該氧化鎵犧牲層來保持該磊晶結構層的品質與性能,而由於該氧化鎵犧牲層結晶特性弱,因此該氧化鎵犧牲層容易被移除,提高整體製程效率。
URI: http://hdl.handle.net/11455/56254
Appears in Collections:材料科學與工程學系

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