Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/56347
標題: 自體發電之半導體元件
作者: 戴慶良
Dai, Ching-Liang
劉茂誠
Liu, Mao-Chen
摘要: 
本發明為有關一種自體發電之半導體元件,該半導體元件為依照標準之互補金屬氧化物半導體(CMOS)的製程,於矽基底上,依序設有氧化層、氮化矽層、氧化層、多晶矽層、接觸層、金屬層與鈍化層,且多晶矽層為多晶矽所構成,並透過離子佈植之技術,並以光罩以區別出複數P型多晶矽與N多晶矽,藉此,可達到自我供電與發電量穩定的優點,且使多晶矽層在半導體的特性下,無接觸電阻之問題,亦可減少積體電路上所需之元件需求,同時達到省電的效果。
URI: http://hdl.handle.net/11455/56347
Appears in Collections:機械工程學系所

Files in This Item:
File SizeFormat Existing users please Login
4-4-6-4-8.pdf126.93 kBAdobe PDFThis file is only available in the university internal network   
Show full item record
 
TAIR Related Article

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.