Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/6112
標題: 雙浮動閘快閃記憶體操作模式研究
Investigation of various operations of dual floating gate flash memory
作者: 林年興
關鍵字: Flash Memory;快閃記憶體;Dual Floating Gate;雙浮動閘
出版社: 電機工程學系
摘要: 
多值邏輯準位快閃記憶體技術是可以達到快閃記憶體高密度與低價格的技術。在單浮動閘的快閃記憶體是使用不同的閘極電壓或不同的源極-洩極脈衝寬度,來控制儲存到浮動閘的電荷量,達到多值邏輯準位的目的,缺點是為了達到精確寫入浮動閘,週邊電路會變得比較複雜。在本篇論文是使用雙浮動閘來達到多值邏輯儲存的功能,使用雙浮動閘可以使寫入浮動閘的電路不需要如單浮動閘多值邏輯儲存那麼嚴苛。為了使雙浮動閘快閃記憶可以一次讀出其邏輯準位,在源極與洩極使用不同的摻雜濃度與摻雜能量,使其在熱電子寫入時能產生明確的四個邏輯準位,抹除則是採用通道F-N穿隧機到制來抹除。又為了使元件的製作能符合現有的製程技術,雙浮動閘的距離做得較寬而直接把控制閘做在雙浮閘的中間與上面。雙浮動閘快閃記憶如果使用F-N穿隧方式寫入時,不對稱的源-洩極濃度並不能如熱電子寫入時產生明顯差距的邏輯準位。四個邏輯準位的差距比較小,因此我們提出不同的寫入電壓與不同的寫入時間的二種改善方式,達到較明顯的邏輯準位差距。
URI: http://hdl.handle.net/11455/6112
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