微機電元件之製造方法

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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/66802

DC Field	Value	Language
dc.contributor	蔡坤旺	zh_TW
dc.contributor.author	戴慶良	zh_TW
dc.contributor.author	DAI, CHING LIANG	en_US
dc.contributor.author	彭宣榕	zh_TW
dc.date	2008-09	zh_TW
dc.date.accessioned	2014-06-11T05:49:32Z	-
dc.date.available	2014-06-11T05:49:32Z	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11455/66802	-
dc.description.abstract	本發明係關於一種微機電(Micro electro mechanical system, MEMS)元件之製造方法,可藉由CMOS製程及以介電層為犧牲層獲得。本發明方法主要為先形成一元件層於一基板上,該元件層之下層中央部分為訊號傳輸線,兩端為接地端;元件層之上層為金屬薄膜,該訊號傳輸線與金屬薄膜之間為介電層。本發明以介電層為犧牲層,將其蝕刻後,即可釋放金屬薄膜,製成電容式射頻開關或其他元件。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	zh_TW
dc.relation.uri	http://twpat.tipo.gov.tw/tipotwoc/tipotwkm	en_US
dc.title	微機電元件之製造方法	zh_TW
dc.type	Patent	zh_TW
item.openairetype	Patent	-
item.openairecristype	http://purl.org/coar/resource_type/c_18cf	-
item.languageiso639-1	zh_TW	-
item.grantfulltext	none	-
item.fulltext	no fulltext	-
item.cerifentitytype	Publications	-
Appears in Collections:	專利

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