P-N串聯多晶矽開關及其製造方法

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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/67019

標題:	P-N串聯多晶矽開關及其製造方法
作者:	戴慶良 DAI, CHING LIANG 劉茂誠陳盈良 LIU, MAO CHEN
摘要:	本發明提出一種P-N串聯多晶矽開關及其製造方法。先利用半導體技術製作多晶矽(polysilicon),再摻雜多晶矽成為串聯之P型及N型,使此多晶矽具有類似二極體般的能帶;導通時不加入偏壓,維持本身電阻;而關閉時加入逆偏壓,則電阻無限大;即可作為一電阻開關,並應用於直流電與高頻等。
URI:	http://hdl.handle.net/11455/67019
Appears in Collections:	專利

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