Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/7699
標題: CVD氧化層表面特性對晶圓接合之影響
The effect of surface characters of CVD oxide on wafer bonding
作者: 卓銘欣
關鍵字: wafer bonding
出版社: 電機工程學系
摘要: 
本論文討論以晶片接合技術接合矽晶片與沉積SiO2層之矽晶片,並嘗試以厚氧化層做成的厚膜SOI (用於微機電產品),以CVD沉積厚度超過2μm是最有效率的方法。本研究中選擇密度較差氧化層APCVD,以做晶片接合用,藉快速高溫退火與拋光及親水性的清洗製程獲得較好的表面特性。在每個步驟後,以AFM量測CVD氧化層表面特性,結果顯示,以CVD沉積氧化層的晶片在500℃熱處理下可與矽晶片有效地接合。
本論文也以熱氧化層的矽晶片試做晶片接合,並以IR及SAM的技術觀測晶片接合的情況。
URI: http://hdl.handle.net/11455/7699
Appears in Collections:電機工程學系所

Show full item record
 

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.