Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/9429
標題: 電解沉積法在多孔性鋁陽極處理膜上備製毫微米金屬絲
Electrodeposited Metallic Nanowire In Porous Anodic Alumina
作者: 陳衍宏
Chen, Yean-Hong
關鍵字: nanometer;毫微米;metallic wire;hight aspect ratio;porous anodic alumina;金屬絲;高長徑比;多孔性氧化鋁;複合膜
出版社: 材料工程學研究所
摘要: 
本研究利用高純度氧化鋁,分別於硫酸及草酸中施以陽極處理 以製造
各種不同孔徑大小之多孔性氧化鋁膜 再以此氧化鋁膜作為模版 以電解沉
積法將金屬鈷 銅填入孔洞中製造具方向性之金屬氧化鋁複合膜 或再經溶
除基材以獲得高長徑比(l/d=1000)之毫微米金屬絲 實驗顯示 使用硫
酸法製造的氧化鋁膜有最佳的孔洞排列及均勻的孔徑 電解沉積的今屬絲
無論鈷 或銅皆為多晶 晶體結構與塊材相同(Co-hcp Cu-fcc) 金屬絲外形
成竹節狀結構(bamboo structure) 晶粒於金屬絲徑向擴展至表面 晶界面
則垂直於金屬絲軸向鈷金屬氧化鋁複合膜之XRD繞射峰在實驗的四種孔
徑(200nm 45nm 35nm 25nm)中皆只出現(100)及(110)兩平面之繞射峰 銅
金屬氧化鋁複合膜之XRD繞射峰在孔洞為200nm膜中 不具方向性 但隨著孔
洞縮小至30nm時則僅剩(220)平面之繞射峰出現 其餘皆消失
URI: http://hdl.handle.net/11455/9429
Appears in Collections:材料科學與工程學系

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