Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11455/9783
標題: 氧化物對N-type砷化鎵晶圓接合界面微結構及性質影響之研究
Effects of oxide on the microstructure and properties of n-type GaAs wafer bonding interface
作者: 吳孟璇
Wu, Meng-Hsuan
關鍵字: 微結構;高解析電子顯微鏡;氧化物
出版社: 材料工程學研究所
摘要: 
本實驗探討N-type砷化鎵接合晶圓在不同的退火溫度下其界面微結構的型態變化,利用高解析電子顯微鏡(high resolution transmission electron microscope,HRTEM)所得到的plan-view結果配合JEMS(Java Electron Microscopy Software)模擬軟體印證界面氧化層三度空間的型態改變。此外藉由導電原子力顯微鏡(CAFM)對照電性分析結果得知界面氧化層扮演阻障的角色,使電流無法通過,造成I-V curve呈現非線性徵。
URI: http://hdl.handle.net/11455/9783
Appears in Collections:材料科學與工程學系

Show full item record
 

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.